半导体周要闻：上海浦东科技收购先进半导体股份原为恩智浦持有

l工艺升级16nm 兆芯处理器性能每年增长30%
除了架构号称自主研发之外，目前兆芯的ZX-D系列处理器使用的还是国产28nm工艺，由上海华力微电子（HLMC）代工，预计2017年下半年量产。

在新一代产品上，Digitimes援引兆芯公司副总裁傅城博士称兆芯ZX-E 8核处理器将与TSMC合作，制程工艺升级到16nm，预计在2018年大规模量产。

l高启全强调紫光存储自主研发内存不走台湾授权的老路
高启全说，长江存储2016年7月16日正式成立后，就购并武汉新芯100%股权，现在的武汉新芯约1,200人，另外，长江存储成立至今也招募将近700人，当中的研发人员占500人，台湾人约50名。

美国对大陆半导体产业的积极度有被威胁之感，因此洽谈的时间会再延长，但美光1年来全球DRAM市占率从28%掉到18%，不快加入长江存储的阵营一起奋斗，未来只会更辛苦。

他强调，12吋厂规划不会是虚晃一招，但技术没成熟前也绝对不会冒然投产，长江存储的内存规划是有计划、慢慢做，千秋大业是急不得，我们也不会去打乱市场的行情。

现在韩国控制全球DRAM市占高达80%、NAND Flash高达60%，不出几年的时间，韩国就会掌握全球90%的内存芯片，这是全世界都该害怕的事情，三星是全球科技业的威胁。

l合肥新汇成晶圆凸块封测项目(一期)正式投产
据合肥新汇成微电子有限公司总经理萧明山介绍，合肥新汇成晶圆凸块封测项目总投资约24亿元(人民币、下同)，项目全部达产后可实现3万片12英寸晶圆、5万片8英寸晶圆的月封装量，年产值约50亿元。

"项目一期投资约15亿元，占地约40亩，达产后可实现1.2万片12英寸晶圆、3万片8英寸晶圆的月封装量，年产值约24亿元。"萧明山说。

l从CPU到GPU 下一步苹果还会自主定制什么
苹果已经将定制芯片作为长期重要战略优势之一，所以我们看到了自主 S 系列芯片、T 系列芯片和自主储存控制器等，因为开发定制芯片所需的巨大资源正好是其他诸多竞争对手所不具备的，哪怕部分芯片如 GPU 的复杂程度远远超过苹果迄今所作出的任何厂商，但苹果依然会想尽一切可能地实现产品自主定制化，保持在现代移动计算中持续占据主导地位。

l1x nm时代 DRAM产业挑战不断
与CPU等芯片相比，DRAM内存在20nm节点之后也放缓了速度，线宽减少越来越困难，40nm工艺的DRAM内存芯片线宽减少约为5-10nm，20nm工艺的线宽减少就只有2-3nm了，更先进的工艺减少线宽就更困难了。

在20nm以下，DRAM工艺预计将经过两到三次的技术迭代，可以称之为1x nm，1y nm，1z nm。"其中，1x nm位于16nm和19nm之间，1y nm则定义为14nm到16nm，1z nm则是12nm到14nm。"应用材料的总经理Er-Xuan Ping在谈到DRAM工艺时表示。

韩媒etnews 18日报导，业界消息称，三星去年开始量产18nm DRAM，目前正研发17nm DRAM，预定今年底完成开发、明年量产。与此同时，三星也成立16nm DRAM开发小组，目标最快2020年量产。相关人士透露，微缩难度高，2020年量产时间可能延后。

l高通季报经调整后营收年增8%达59.9亿美元 优于市场预期
根据彭博(Bloomberg)及华尔街日报(WSJ)报导，高通于19日发表第2季财报，第2季税后净利下滑至7.49亿美元、每股盈余0.5美元，调整后每股盈余1.34美元，优于市场平均预估的1.19美元；营收年减9.6%，为50.16亿美元，经调整后营收年增8%，达59.9亿美元，亦优于预期。

高通指出，BlackBerry专利费仲裁案让专利授权部门的营收年减40%至13.27亿美元。BlackBerry专利费仲裁案的支出为9.74亿美元。

l外媒 高通占iPhone基带芯片比重恐将至35%
分析师指出，高通去年上半年卖给苹果基带芯片约介于 7,500-8,000 万颗，预估今年下半年数字会降低至 4,500-5,000 万颗。苹果约占高通营收的 18-20%，这意谓着高通下半年营收可能减少 2 亿美元。（注：计算它的基带芯片200，000，000/30，000，000=USD6.0美元。）

Barron’s.com 报导，Rosenblatt Securities 分析师 Jun Zhang 警告，苹果下一代 iPhone 基带芯片，高通分配到的比重可能从原先的 60% 降至 35%，即使高通同时间中国市占扩大，也不足以填补 iPhone 的订单缺口。

l三星制定DRAM发展蓝图 15纳米是制程微缩极限
韩媒 etnews 18 日报导，业界消息称，三星去年开始量产 18 纳米 DRAM，目前正研发 17 纳米 DRAM，预定今年底完成开发、明年量产。与此同时，三星也成立 16 纳米 DRAM 开发小组，目标最快 2020 年量产。相关人士透露，微缩难度高，2020 年量产时间可能延后。

三星从 20 纳米制程（28→25→20），转进 10 纳米制程（18→17），缩小线宽（Line－width）的速度明显放缓。三星尚未成立 15 纳米制程以下的研发团队，因为由此开始，电流外泄和电容器干扰和情况将更为明显，需要开发新的材质。

三星设备解决方案部门的半导体实验室人员 Jung Eun－seung 说，为了继续缩小线宽，必须开发与当前不同的新材质，并提高制程稳定性，以便进入量产。业界人士估计，15 纳米或许是制程微缩的极限，未来三星可能难以透过制程微缩拉大与对手差距，并担忧中国业者急起直追，赶上三星。