除了跑个高分，高通骁龙835居然藏有秘密武器

议，将矛头直指高通Quick Charge为代表的一众第三方快充技术。

根据USB Type-C 3.1接口的规范，充电电压应保持在4.45－5.25伏之间，而高通QC 3.1所需要的电压便远超USB Type-C线的标准，由于这项技术是基于非标准信号及非标准USB连接，的确导致了各种兼容性问题。而且因为各手机内部配置不同、充电速率不同，如果用户混用设备，可能会造成安全隐患。USB-PD充电协议便旨在推广标准3A Type-C型充电器，实现兼容又相对可靠的快充。

现在Quick Charge 4的到来显示高通已经做好了接招的准备：集成对USB Type-C和USB-PD的支持。这可能意味着，未来搭载Quick Charge 4的不同手机之间，混用充电器同样可以实现快充了。

当然还有更快的充电速度，高通表示Quick Charge 4充电速度提升高达20%，仅五分钟的充电，手机使用时间延长五小时甚至更久。在大约15分钟或更短时间内，可充入高达 50%的电池电量。

△15分钟充电50%，Quick Charge 4的充电效率提升达30%

Quick Charge 4的升级也包括对发热的控制，采用高通第三版INOV电源管理算法（最佳电压智能协商），据说加入了行业首创的实时散热管理技术，让你的手机在充电时温度更低，较上一代最多可以降低5摄氏度。毕竟因为三星Note7事件，大家越来越重视充电过热的问题。

这主要是基于配置骁龙835的手机拥有电流电压的三重防护，以及防止过热的四重防护，而骁龙835也能管理电池使用寿命，让用户使用更长时间。也就是说，骁龙835将首先搭载Quick Charge 4。

满足你对手机性能的期待

虽然目前高通还没有透露关于骁龙835的具体信息，不过目前曝出的一些信息：升级版64位自主架构Kyro 200，四大、四小的八核设计，GPU核心升级为Adreno 540，LTE X16基带以及更快的LPDDR4x运存等，基本是可靠的。这自然意味着明年我们手上的旗舰机性能将比现在有新的突破，跑分创新高，不过你也别想得就这么简单，如今SoC很大程度还影响着手机产品的设计走向以及用户体验。

按照高通的说法，骁龙835将具有更小的芯片尺寸，让OEM厂商能够在即将发布的产品中获得更多可用空间，以支持更大的电池或更轻薄的设计。要知道苹果iPhone7／7Plus去掉耳机孔的最大原因就是让出机身内部空间，以加入相机模组、Taptic Engine和一部分电池容量。

那么我们可以预见，明年旗舰机的机身厚度进一步降低的基础上，不仅有更高性能，还有更大容量的电池以及更长续航时间。随着双摄手机的普及，预计骁龙835会对双摄有更好的ISP支持方案，新一代的Hexagon DSP也会带来更好的待机表现。

伴随着VR概念的火热，高通也提出了会为这些运算做出单独优化，用以达到更好的效果。VR对手机图形处理能力的要求比以往高得多，骁龙835上的新一代Adreno GPU无疑会更加强悍。另外，今年的热点是人工智能，骁龙820就已内置Zeroth神经处理引擎，能够自动根据用户拍摄的照片进行分类，相信骁龙835会更进一步，带来更加实用的机器学习功能，以后你的手机大概会更懂你。

△推测将首发搭载骁龙835的三星S8具有人工智能和深度学习能力

买不到、不想等怎么办？

能率先使用到一部搭载了最新旗舰芯片的手机，对于很多用户来说的确很有吸引力。不过就跟去年高通发布骁龙820之后很长一段时间内都供货紧张一样，明年初这一问题可能依然会持续。

至于哪家厂商将拿到骁龙835首发的悬念并不大，即三星明年上半年发布的Galaxy S8系列。在骁龙835芯片量产初期也就是明年一季度，除了三星以外的其他厂商未必能拿到很多货。

等到骁龙835在国产手机中大范围应用时应该是明年年中，因此对于近期有换机需求的用户来说，若实在没那个耐心等个小半年才换新机，那么作为Android旗舰新标配的骁龙821机型和近期性价比步步攀升的骁龙820机型仍然是不错的选择。

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