DRAM都上8GB了，三星S8将一扫Note7阴霾？

行动装置的存储器不断扩大！三星电子宣布，智慧机将进入8GB DRAM年代，该公司已经开始生产，外界预料将用于明年初问世的Galaxy S8。

韩联社报导，三星电子20日发布业界首见的8GB行动DRAM。新晶片采用10 纳米制程，由四个16Gb的LPDDR4 晶片组成。三星执行副总Joo Sun Choi表示，8GB行动DRAM的到来，可让次世代旗舰机的功能更上一层楼。

目前智慧机行动DRAM最大为6GB，存储器加大可满足双镜头、4K萤幕、虚拟实境(VR)等的需求。三星并宣称，新品效能与当前高阶超薄笔电的8GB DRAM相当。采用10纳米制程也让新品更为省电，功耗更少。

三星稍早才宣布10纳米制程开始量产，ZDNet、路透社报导，三星17日发布声明，宣布10纳米制程已经进入量产，为业界创举，预计明年年初的产品，就能搭载10纳米制程晶片。虽然三星未说明是什么产品，一般认为应该暗示明年初发布的S8旗舰机，将用10纳米晶片。三星表示，和14纳米制程相比，10纳米效能提升27%、功耗减少40%、每片晶圆的晶片数目也增加30%。

三星合作伙伴爆料称，为弥补Note 7短命下台对镜头厂所造成的损失，S8将搭载双镜头、且具备虹膜辨识功能。

日本网站通信转述韩国先驱报(Korea Herald)19日的报导指出，三星某家零件供应商干部透露，为了弥补Note 7停产停售对镜头供应商所带来的财务损失，三星次代旗舰机种Galaxy S8将搭载双镜头及虹膜辨识。S8之前就曾传出要采用双镜头，不过此次由三星零件供应商口中说出，也算是提高了其真实性。