手机发热为啥这么严重，三星领头造假？

手机主控性能、发热与制造工艺之间的关联性"古已有之"，但真正引起人们的关注是从去年某个"旗舰主控"的悲剧开始的--"20nm"制程的骁龙810无论是性能还是功耗控制上都惨败于"14nm"制程的三星Exynos 7420，制造工艺上的区别第一次被如此大规模地摆在市场和消费者面前。

虽然一时落后于竞争对手，但连年市场占有率登顶的台积电对未来仍然充满希望--据台积电透露，他们准备在2017年量产10nm工艺，一年之后即升级到7nm--相比之下，业界巨头Intel（英特尔）要到17年下半年才能小批量投产10nm，7nm更是遥遥无期。看起来，台积电甚至有望"超车"Intel？

然而，事实是，同为10nm，台积电的工艺和Intel完全不在一个水平上，更准确地说，台积电（还有他的好基友三星）在半导体制程的衡量方式上"说了谎"、导致最终的产品性能"被注水"！

一次提问揭开的业界黑幕

7月14日，在台积电的季度新闻发布会上，有分析师当场质疑台积电两年后的7nm工艺，要求台积电公布其与Intel 10nm工艺的性能对比--台积电的高层拒绝回答，但这一意外事件随即揭开了困扰业界、媒体多时的半导体工艺"数字魔术"问题。

事实上，台积电的工艺夸大问题在客户群体当中早就不是秘密。有业内人士甚至指出，台积电目前量产的最尖端工艺──独吃苹果A10处理器的16纳米工艺，性能上仅相当于英特尔的20纳米工艺。

台积电大客户、世界最大IC设计公司高通首席技术官葛罗布(Matt Grob)被问到这个问题时，他毫不迟疑的大声说"没错!(YES)"。"这些晶圆代工业者都想办法把数字弄得愈小愈好，"葛罗布说。不只台积电，三星与格罗方德（原AMD旗下半导体工厂，现AMD主要代工厂）的工艺数字都存在不同程度的"水分"。

三星领头造假，其他厂积极参与

出现这种问题的根源在于各家都使用了有利于自己的测量方法--而不是一个业界统一的度量衡。据一位前台积主管向媒体透露，始作俑者是三星，而时间点则是在整个产业导入全新的鳍式场效应晶体管（FinFET）时，约在2、3年前。

Intel、台积电和三星的"14nm"FinFET芯片内部结构尺寸对比（越小越好）

台积电最早采用FinFET的16nm工艺，原本计划按照与英特尔一致的测量方法，称为20nm FinFET。因为该工艺的电晶体最小线宽(half-pitch)与量产的前一代20纳米传统半导体工艺差不多，只是换上全新的FinFET结构。

但客户向台积电主管反应，同样的工艺，三星已抢先命名为"14纳米"。如果台积电真叫"20纳米"一定在市场和宣传上吃亏。

台积电"从善如流"，不久后改名，称之为16nm--这也就是当年iPhone 6s 三星与台积电主控之争的根源--现在看来，两家生产的其实都只是相当于Intel 20nm制程的产品，只不过"取名"不同罢了。

造价坑了芯片厂，害了消费者

命名惯例打乱之后，首先延伸出来的问题是，外行人很难搞得清楚，英特尔、台积电、三星这半导体三雄的技术竞赛，究竟谁输谁赢？

世界前五名无工厂半导体公司，他们都是台积电或者三星的大客户

事实上，正如前面所说，半导体代工厂的那些大客户们心里早就有数：高通坦诚，在企业内部的会议中，从来不会相信台积电等代工厂报告的技术数字，而必须经过换算。

一位资深业者透露，联发科内部也有一套换算方式：台积电的16nm等于英特尔的20nm、10nm等于英特尔的12nm。接下来未定，但看来"台积电（2018年）的7nm，比英特尔（2017年）的10nm要好一点点，"他说。

只不过，对于大多数消费者来说，早就习惯了Intel的制程计算方式，想当然地就会把Intel的制程数字与台积电、三星、格罗方德们的作比较，并认为只要他们的制程"数字上"与Intel的最新工艺相近或者相同，就应该有一样好的表现--结果事实并非如此。

一言以蔽之，台积电和三星等代工厂在制程"数字"上的谎言欺骗了高通、联发科等主控厂商，并造成了他们一定的麻烦。但最终受害的，到底还是终端的消费者。

Intel强势插入：或导致市场洗牌？

有趣的是，就在台积电把戏被拆穿的同一天，Cadence Design Systems（铿腾电子）宣布，它们基于Intel第三代10nm三栅极（应该指的是14nm FinFET）的系统设计和功能验证工具已经通过认证，而验证芯片竟然是PowerVR GT7200，地点是代工厂。

这套工具就是为设计SoC服务的，而Intel自家的Atom移动芯片已经放弃大半，残留的高端型号使用的是自家HD Graphics，所以事情就非常耐人寻味了。

也许,Intel已经想好了开放14nm FinFET产能来做移动CPU代工的生意，三星、台积电想必是压力最大的，因为老大哥的14nm在性能和可靠性、产能上都远远领先。