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3D XPoint潜力无限,这就是英特尔的七彩祥云?

时间:04-03 来源:3721RD 点击:

概要
•随着3D XPoint的到来,英特尔的裁员是不可避免的

•英特尔即将改变计算领域

•3D XPoint的到来已被预测。当时几乎没人会相信其背后的影响。

HMC和3D XPoint存储技术的巨大革新总结如下:当把大容量的内存和处理器封装到一个高带宽芯片里,整体性能将会提高几个级别。计算机本身将会消失,因为手机将会有更强大的计算能力且能耗降低。

微软已经发明了Continuum技术,可以让你在显示和输入设备之间自由切换。如果企业和学校给员工或者学生提供这种"手机电脑",iPhone就要被取代了。除非苹果推出Macphone来避免淘汰。

这种情况是非常冒险的,因为Core台式电脑处理器和Xeon服务器处理器已经非常相似了。3D XPoint存储器不同在于它可以避免存储器和处理器之间的传输错误。待到移动组件使用这种处理器,那电脑就没有存在的理由了吧?

就在几周前,英特尔宣布了以下的组织构架:

•客户端计算组

•数据中心组

•物联网组

•非易失性存储器解决小组

•英特尔安全小组

•可编程解决小组

•其他

•新技术小组

在未来客户端计算小组不再是分离桌面和移动组件构成,而是制造存储内存,还有就是用一点点的改变来满足90%的私人电脑市场。(比如双核,四核或者八核的64GB和2TB的内存拼接在一起)另外10%是游戏和 CAD工作站,这些将由数据中心小组用Xeon来完成。

从这些组织架构中脱颖而出的是非易失性存储器小组,他们特殊之处在于"非易失性",这说明他们目标不是DRAM。这就意味着3D XPoint的表现和预期一样高。英特尔申请的专利里是这么说的:
"NVRAM具有以下的特征:读取速度非常快(快于闪存并且接近或等同于DRAM的读取速度)"

考虑到成本结构,如果3D XPoint的读取速度"接近或等于DRAM的读取速度,"并且所有编写快速地进入eDRAM缓存,这样独立的DRAM就不需要了。我感觉不管我怎么重复,还是有人不以为然。即使这是Intel和Micron专利的内容,人们还是报以很大的怀疑态度。下面是英特尔对现实生活中的一些现象的进一步解释:

"我们在256M内存的电脑上做了一个小小演示,并且我们在8G内存的系统做演示。你不能够说出什么区别。一秒200000页的情况下,会有一点点错误。如果足够快的话,这一切都还好。"

他刚刚所讲的是虚拟内存分页 - 即目的是通过内存页到磁盘的交换来更有效地利用DRAM。从历史上看,分页一直是个坏事,因为磁盘--包括固态硬盘--比DRAM慢得多。但为了让稀缺资源有效利用,这是必要的。

比如手机上的拨号程序一直在运行,当我一段时间不用它,它的存储页将会被移到存储器(闪存),目的是为了腾出DRAM空间给我运行别的程序。如果我再次尝试打开拨号程序,将会有个很长的延迟。因为CPU需要将拨号程序的"页面"从NAND中放到内存中,这样才能运行。

每个人都讨厌分页,但是英特尔认为,如果二级存储的速度足够快(比如3D XPoint),这样你就无法分辨出分页的不同,当然也就不算个坏事。处理器就会在芯片上面或者周围配置一小块eDRAM,并且复杂的存储系统将被移除(一块巨大的系统成本)。

这只是一个大致的演示, 只要二级存储足够快,有很多DRAM的系统就跟没有一样,只是在此之前,他提出了关于能耗的问题。英特尔有很多专利讨论到这个问题,而且他们用一个称为"pinning"的技术解决了。在缓存中实现了最大频率的换页。

总结

大家已经基本了解了英特尔是如何逐步使用SSD将RAM替换的。并且这些都出自于一个英特尔员工之口,具有更强的说服力。英特尔的新的客户计算业务将创造出比目前的CPU更简单并且更高表现性能的的产品。所有外部存储器具有的复杂性以及其带来的额外花费都将不复存在。瑞克库尔森在另外一个演讲中详细的解释了通过在NVMe总线上演示3D XPoint来演示其性能的办法在根本上就是错误的。当总线向一个具有两位数延迟的装置增加超过一万纳秒的延迟的时候,尽管这项技术比NAND快1000倍,但其也只能显示出7.3倍的速度,这是因为使用PCIe总线来代替内存总线所带来的低效性。

同时他还提到,尽管3D XPoint有无限的潜能,但基于这样的配置你只能看到"低于8倍"的性能提升。英特尔很明显在隐藏其性能。他们可以很容易的展示出可以表现真实性能的存储设备。为何他们会如此遮遮掩掩?这其中大概只有几个原因:

1、他们需要买下Micron来剔除竞争对手。

2、他们需要就规格对竞争对手进行保密。(但是为什么发布的却如此之早?)

3、首批制造出3D XPoint产品的制造商想要达到不同凡响的效果。到底是微软还是苹果

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