骁龙810过热问题元凶，都是台积电20nm工艺闹的？

早有消息显示三星将在其手机中弃用高通芯片，改用自家的Exynos芯片，三星这样做是有原因的。坊间传闻三星Galaxy S6和S6 Edge采用高通骁龙810会出现过热现象。

有国外科技媒体报道骁龙810芯片的过热现象确实存在，这是在一款高端芯片中不该出现的。该媒体为验证此事甚至找到专业实验室Primate Labs，对采用了骁龙810的HTC M9和LG G Flex 2手机进行测试。骁龙810推出时称较前几代产品包括800、801和805的处理速度都要快。

在外行看来，智能手机和平板电脑过热时就会出现节流。但是在骁龙810这个案例上，节流现象出现的过早，让处理器迅速变热。

根据Primate Labs的测试，把Galaxy S6和HTC的手机做比较，采用Exynos芯片的三星手机明显性能更好。该组织比较了Exynos 7420中采用的大核ARM Cortex A57和骁龙810种对应的大核的性能，差异相当明显。

当两个手机都出现节流的时候，骁龙810频率在几分钟内迅速降到900MHz以下。而另一边，Exynos芯片依然表现良好，因为它没有启用小核，在测试的15分钟内一直保持良好散热和始终速度。

因为骁龙810的过热和节流问题，可能导致HTC One M9和LG G Flex 2的电池使用寿命缩短，性能表现更差。而高通芯片过热的原因在于其采用了台积电20nm制造工艺。而三星Exynos芯片采用的是更低的14nm工艺。

有媒体称三星在如何利用Cortex CPU内核来实现智能手机和其他终端设备的设计方面更有经验。高通很可能在现代产品骁龙820上改善现有问题，包括更加高效并采用更低的14nm工艺。芯片也会采用定制化的64位Kryo架构，彻底解决810出现的问题。

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