新一代闪存技术-PCM MRAM和RRAM

后继者也会受到NAND闪存技术外延的影响

与此同时，预测哪项技术更有希望成为取代NAND闪存变得非常困难，因为在这项技术首次出现后，NAND闪存本身比业内预期的获取了更长的生命周期，"这些实验室里的天才们不断采取方式推动这项技术，哪怕只有额外的一两步工序，他们这样持续做了几乎10年，"加利福尼亚州洛斯加托斯的Object Analysis的创立者和首席分析师Jim Handy说，"谁敢说他们不会继续这样做上另外10年呢?"

Handy回顾了一份2003年英特尔开发者大会上的演讲稿，当时一名高级管理人员宣称NAND闪存无法超越60纳米的工艺水平。不过英特尔和美光科技持续将这种技术工艺从50纳米提升至34纳米，25纳米，直至现在的20纳米。Handy预期闪存会最终缩小到10纳米，并停止在大约8纳米这一极限值上。

通过工艺的提升带来了巨大的成本下降。将2个字节封装在每个单元的MLC或新兴的消费级的3层单元(TLC)闪存也降低了成本。不过这种创新也带来了负面效果，比如耐久度，性能和稳定性的降低。

到目前为止，生产商已经能够将2个字节的MLC NAND闪存应用在企业及数据存储中，并通过复杂的控制技术，误差纠正吗(ECC)和磨损测量技术进行补充。不过，由于受限于目前的晶体管技术，恐怕很难再有更多控制技术。

还有一种可能延续闪存生命周期的技术就是3D NAND，这种技术从三个维度堆栈内存单元。美光科技的Kilbuck将其比作一幢多层的办公楼，而非二维的NAND闪存那种在一个平面铺开的单层办公楼。

"目前针对二维的NAND单元何时会达到其扩展极限，业内尚有很多争论，"Kilbuck说，"我听到有人说还会有好几十年，也有人说会在几年内NAND就会按比例缩小，我们不得不转向诸如3D NAND之类的技术。"

Kilbuck也表示业内无法预计3D技术会面临怎样的挑战，并且其会延长NAND多久的生命周期，所有这些都要等到3D NAND大量生产后才会有分晓。

"闪存可扩展性的终结是每个人都担心的事情，这也是为什么他们转向其它技术的原因，"Object Analysis的Handy说。不过他认为现在断言PCM、MRAM、RRAM还是其它技术会胜出还为时过早。"假如NAND闪存在衰退之前还有另外10年的生命周期，那就意味着这些技术黑马还要等上10年才能有机会成为市场主导者。"