新兴存储器技术涌现 迈入商业化尚待时日

在2006年，若干新兴的内存技术大踏步向着完全规模商业化迈进，虽然它们尚未准备好对在该领域占据支配地位的DRAM或闪存构成挑战。

对这些技术成就我们没有做特别的排名，它们包括飞思卡尔公司的商用4Mb磁阻RAM(MRAM)、三星电子股份有限公司的相变RAM(PRAM)和全息内存、InPhase Technologies公司的非半导体内存技术。这些技术的开发已经历时多年，由于各种原因，每一种技术都尚未准备就绪以迎接发展的黄金时间。然而，在2006年取得的技术改进可能足以证明：迅速把各自的技术从实验室推向附近的供货商是有益的。

飞思卡尔表示，其MRAM器件能够捕获所有当今内存技术的所有想要的特性。该公司表示，其新器件已经把读和写速度平衡到了35ns，类似于DRAM或闪存，并且存储单元的密度类似DRAM和闪存。然而，飞思卡尔表示，MRAM没有像DRAM那样的泄漏问题，并支持像DRAM、SRAM以及非易失性闪存那样的无限制耐久性约束。

MRAM作为一种技术已经出现了几年，但是，由于各种各样的原因一直没有实现大量的商业成功，这些原因包括不具备竞争力的每位成本和难以把采用该技术的模块集成到标准的CMOS工艺器件之中。飞思卡尔的突破在于解决了第一个问题，它利用术语上称为"固定(Toggle)"位与一种创新的MRAM单元结构相结合，不需要额外的控制三极管就能够把单元稳定在"1"或"0"状态，从而提供了一种最优化的位解决方案。通过把MRAM模块结合到工艺流程的晚期，可以解决工艺集成问题，并最小化对标准CMOS逻辑工艺步骤的影响。

三星公司的512M PRAM值得注目之处在于其密度和功能集-即密度、读和写性能及耐久力-使之直接与大批量应用(如移动电话)中的NOR闪存竞争。在过去的几年中，三星公司一直吹嘘64Mb和256Mb器件将成为NOR闪存的杀手-但是市场成效不大。该公司目前声称，已经解决了保持内存数组数据所需要的硫化物层的化合物挑战，并预期最快在2008年使主流市场转向PRAM。

三星不是唯一关注相变内存未来发展潜力的企业，英特尔和ST微电子已经联合设计和开发了128Mb器件，但是，迄今为止尚位作出产品的发布或预测批量商业化生产的日期。目前来看，相变内存的关键不在于如何制造它，而在于以引人注目的价格点来制造它，以便取代它的竞争对手NOR闪存。如果相变内存不能以合适的价格交付使用，那么，市场认同将进一步延迟。

全息内存的开发也历时许多年，目前看来能够作为录制备份系统的竞争力技术而出现，从而提供广泛的可归档数据性能和极长的数据保持周期。

这类内存利用激光、光检测器、图像传感器和在实现术语上称为"体记录"的专用媒介技术。利用为当今消费级高清晰度DVD刻录机和高分辨率数字摄像机开发的技术-包括蓝和绿激光技术及CMOS图像传感器-已经能够实现全息内存的商业化。

全息内存设备至今尚未准备好推向消费市场，而其一次写入、多次读出(WORM)的限制和高昂的设备成本对提高其采用率有一定限制。然而，随着研究工作的深入，全息内存可能有一天成为主流的内存。

InPhase公司的Tapestry 300读/写系统目前的报价是18,000美元，在直径仅仅为5.25英寸的单一媒介光盘上提供了300Gb的数据存储密度，这种光盘类似于目前标准的DVD光盘并具有稍微高于100美元的报价。5.25英寸光盘的理论最大密度目标是超过1.6Tb，但是，近来不可能达到那个水平。

目前来看，所有这三种技术的内存尽管引人感兴趣，但仍然被坚定地确立为有发展前途的领域。在这些技术开始迈向商业化之前，要持续改善收入物化和采用率，目标市场将来的发展尚拭目以待。