基于SRAM/DRAM的大容量FIFO的设计与实现

部由行列地址译码、多块大容量存储单元阵列和一些逻辑控制模块组成。

3．3程序设计

这里，主要采用2．3中设立头尾两个指针的思想。与SRAM不同的是，DRAM采用的矩形存储单元阵列是由行线和列线来控制，并且内部采用分块结构．这里HY57V281620E由4块存储单元组成．通过BA1和BA0来控制。在写数据操作的时候，当存放数据长度超过当前存储单元容量时，需要CPLD切换至下一存储块进行存储，同样，读操作的时候也存在这种操作，即如果StartPos或者EndPos超过了存储块容量．这里是2 097 152，则通过一个模4计数器控制切换至下一个存储块。

3．4时序控制

写入(或读出)数据的时候，CPLD需要模拟FIFO基本的写(或读)操作时序：CPLD接收到nWEN(nREN)和WCLK(RCLK)，即当。nWEN(nREN)为低，WCLK(RClK)为上升沿时，将当前I／O上的数据写入(读出)。在数据写入(读出)RAM的时候，CPLD应按照HY57V281620E器件的写(读)时序来控制写(读)操作：CPLD首先控制nRAS从高电平变至低电平，选择行地址。再通过控制nCAS选择列地址。这里，当写入(或读出)数据在同一块当中进行，可以保持nRAS低电平，连续选择多列数据操作(也称作快页模式读写)。当数据地址超过块容量，则需要重新选择行地址，然后再进行连续多列数据读写操作。读写使能控制和SRAM类似，通过nOE和nWE(低有效)来控制。

图5是DRAM主要读写控制时序。可以看出，影响所构建FIFO读写速度的主要因素是tPC，这也是决定DRAM速率的关键所在，因此，所构建FIFO的理论速度也应该接近DRAM最高频率。同时，还必须考虑DRAM的刷新操作。这里，系统采用nCAS先于nRAS的方式(CBR)，即控制nCS、nCAS、nRAS，并保持nWE为高电平，利用芯片内部计数器决定要被刷新的行。HY57V281620E提供了这种自刷新模式，刷新速率由tREF来决定，通常为64 ms。在系统或某存储块长时间无操作的情况下，需要定时刷新，以保持数据完整。

4实验结果和分析

图6是用QuartusIl4．0根据2．3中设立的头尾指针算法设计仿真出来的时序波形。可以看出．系统从0x000底开始写数据，当写入3个数据时。EndPos增加到0x003，再进行3个数据读操作，即StartPos增加到0x003，此时，所构建的FIFO是读空状态，可以看到读空信号Empty在这时变为高电平，达到FIFO设计所需要求。

还需要注意：由于所采用的RAM只采用一个数据总线作为输入输出，因此在写数据的时候不能进行读操作。而常用FIFO器件可以同时读写。所以．如果要在同一时间内进行读和写操作，那么需要在一个FIFO读写时钟周期内对RAM进行读写等多个操作，这时所构建的FIFO速率将降低。

此外．在与DRAM构建高速FIFO时，由于存储块选择需要一定时间操作，因此跨块存储操作在频率较高时会影响正常的数据读写，出现个别数据丢失情况。而且当某段时间进行刷新操作时，有突发数据需要读或写，这时不允许中断。解决这种问题的办法是用一个I／O引脚(nREADY)标识出当前所构建的FIFO是否可读写，如果有上述情况发生，则nREADY为高，可以读写时为低。

常用的FIFO器件还有半满、接近满、接近空等状态指示，可以在上述构建FIFO的基础上加上简单的逻辑控制，计算StartPos和EndPos之间的差值，根据当前是写操作还是读操作来指示。其他状态信号也可以通过CPLD经由逻辑运算很方便地实现。同时，读和写同步时钟可以不一致。这样就可以很方便地构成同步或者异步两种FIFO，具有很好的可扩展性。

5 结束语

现在，SRAM的数据传输速率可以达到10 ns以内，DRAM要比SRAM稍慢一些。因此。SRAM通常用于高速缓冲存储．而DRAM则通常用来存储较大的数据。从成本来考虑，DRAM比SRAM成本要低得多。

采用本文给出的结构和设计思想，避免了以往主CPU接管RAM时的一系列复杂读写操作，而直接类似FIFO使用，接口简单方便，而且避开了传统FIFO器件容量和成本的限制。本文通过理论分析，实际电路设计调试，已成功实现用两种不同结构的RAM构建FIFO，并应用于多个实时高速信号采集系统中。