原来全是套路！三个经典的RS-485端口EMC防护方案详解

图1：传统的EMC防护解决方案架构

按照以上的规范要求和设计原则，下面我们提供三种不同级别的EMC防护解决方案，这些方案都已经经过了第三方独立EMC兼容性测试的认证。方案中用到的元器件包括：

ADM3485EARZ 3.3 V RS-485收发器（ADI）

TVS瞬变电压抑制器CDSOT23-SM712 (Bourns)

TBU瞬变闭锁单元TBU-CA065-200-WH (Bourns)

TIST晶闸管浪涌保护器TISP4240M3BJR-S (Bourns)

GDT气体放电管2038-15-SM-RPLF (Bourns)

方案一
EFT和ESD瞬变的能量级别类似，浪涌波形的能量级别则高出三到四个数量级。针对ESD和EFT的保护可通过相似的方式完成，针对高级别浪涌的保护解决方案则更为复杂。第一个解决方案提供四级ESD和EFT和二级浪涌保护。

此解决方案使用Bourns公司的CDSOT23-SM712 TVS阵列，它包括两个双向TVS二极管。TVS是基于硅的器件。在正常工作条件下，TVS具有很高的对地阻抗；理想情况下它是开路的。保护方法是将瞬变导致的过压箝位到电压限值。这是通PN结的低阻抗雪崩击穿实现的。当产生大于TVS的击穿电压的瞬变电压时， TVS会将瞬变箝位到小于保护器件的击穿电压的预定水平，只需< 1 ns，瞬变电流即可从受保护器件转移至地。

重要的是要确保TVS的击穿电压在受保护引脚的正常工作范围之外。CDSOT23-SM712的独有特性是具有+13.3 V和–7.5 V的非对称击穿电压，与RS-485芯片ADM3485E的+12 V至–7 V的收发器共模范围相匹配，从而提供最佳保护，同时最大限度地减小对RS-485收发器的过压应力。

图2：CDSOT23-SM712 TVS特性曲线

图3：基于TVS阵列的保护方案

方案二
如果要提高浪涌保护级别，保护电路变将得更加复杂，在方案二中，我们将浪涌保护提高到四级。

在这个方案中，由TVS（CDSOT23-SM712）提供次级保护， TISP（TISP4240M3BJR-S）则提供主保护，主保护器件和次级保护器件之间的协调以及过流保护是利用Bourns专利技术的过流保护器件TBU（TBU-CA065-200-WH）实现的。

图4：TBU的特性曲线

当瞬变能量施加于保护电路时，TVS将会击穿，通过提供低阻抗的接地路径来保护器件。由于电压和电流较高，还必须通过限制通过的电流来保护TVS。这可采用TBU，TBU是一个主动高速过流保护元件可阻挡电流，而不是将其分流至地。作为串联元件， 它会对通过器件的电流做出反应，而不是对接口两端的电压做出反应。TBU是一个高速过流保护元件，具有预设电流限值和耐高压能力。当发生过流，TVS由于瞬变事件击穿时，TBU中的电流将升至器件设置的限流水平。此时， TBU会在小于1 μs时间内将受保护电路与浪涌断开。在瞬变的剩余时间内，TBU保持在受保护阻隔状态，通过 受保护电路的电流非常小(<1 mA)。在正常工作条件下，TBU 具有低阻抗，因此它对正常电路工作的影响很小。在阻隔模式下，它具有很高的阻抗以阻隔瞬变能量。在瞬变事件后，TBU自动重置到低阻抗状态，让系统恢复正常工作。

图5：TBU与PTC（保险丝Fuse）之间的差异

与所有过流保护技术相同，TBU具有最大击穿电压，因此 主保护器件必须箝位电压，并将瞬变能量重新引导至地。 这通常使用气体放电管或固体放电管（晶闸管）TISP等技术实现，例如TISP。TISP充当主保护器件，当超过其预定义保护电压时，它提供瞬变开路低阻抗接地路径， 从而将大部分瞬变能量从系统和其他保护器件转移开。

TISP的非线性电压-电流特性通过转移产生的电流来限制过压。作为晶闸管，TISP具有非连续电压-电流特性，它是由于高电压区和低电压区之间的切换动作而导致的。在TISP器件切换到低电压状态之前，它具有低阻抗接地路径以分流瞬变能量，雪崩击穿区域则导致了箝位动作。

图6：TISP的特性曲线

在限制过压的过程中，受保护电路短暂暴露在高压下，因而在切换到低压保护打开状态之前，TISP器件处在击穿区域。TBU将保护后端电路，防止由于这种高电压导致的高电流造成损坏。当转移电流降低到临界值以下时，TISP器件自动重置，以便恢复正常系统运行。

所有上述三个元件协同工作，与系统输入/输出配 合，一起针对高电压大电流瞬变为系统提供系统级保护。

图7：TVS、TBU和TISP协同工作，提供更高级别保护

方案三
如果保护方案需要应对最高6 kV的浪涌瞬变，则需要对方案做些调整。新方案的工作方式类似于保护方案二；但此电路采用气体放电管(GDT) 取代TISP来保护TBU，从而保护次级保护器件TVS。相对于TISP，GDT采用气体放电原理，可针对更大的过压和过流应力提供保护。TISP的额定电流是220 A，GDT的额定电流则是5 kA(按单位导体计算)。