IGBT的结构与各种保护设计方法详解
时间:06-25
来源:网络整理
点击:
3、过热保护
IGBT 的损耗功率主要包括开关损耗和导通损耗,前者随开关频率的增高而增大,占整个损耗的主要部分;后者是IGBT控制的平均电流与电源电压的乘积。由于IGBT是大功率半导体器件,损耗功率使其发热较多(尤其是Rg选择偏大时),加之IGBT的结温不能超过125℃,不宜长期工作在较高温度下,因此要采取恰当的散热措施进行过热保护。
散热一般是采用散热器(包括普通散热器与热管散热器),并可进行强迫风冷。散热器的结构设计应满足:Tj=P△(Rjc+Rcs+Rsa)《Tjm 式中Tj-IGBT的工作结温
P△-损耗功率
Rjc-结-壳热阻vkZ电子资料网
Rcs-壳-散热器热阻
Rsa-散热器-环境热阻
Tjm-IGBT的最高结温
在实际工作中,我们采用普通散热器与强迫风冷相结合的措施,并在散热器上安装温度开关。当温度达到75℃~80℃时,通过SG3525的关闭信号停止PMW 发送控制信号,从而使驱动器封锁IGBT的开关输出,并予以关断保护。
- 英飞凌第35亿颗高压MOSFET顺利下线(02-18)
- 美国国家半导体推出业界首款内置MOSFET门极驱动器的全桥PWM控制器(03-09)
- 瑞萨电子推出新型高压功率MOSFET产品RJK60S5DPK(03-21)
- 士兰微电子推出新一代高压MOSFET——F-CellTM系列(03-28)
- Linear推出MOSFET栅极驱动器LTC4441 MP级版本(04-07)
- MOSFET恐慌性“缺货”引发大量盲目订单(04-07)