一波爆发式增长当前，UV LED市场到底咋样

子为0．55。由于纳米线的不均匀性和制造的不完善，实际电流注入和激光运行仅在其中约50％中发生。单根纳米线的计算腔体积和载流子复合体积分别为0．627μm3和0．165μm3。

首先，使用193nm波长的激发源进行室温光致发光（PL）研究。所得到的PL光谱在246nm处具有20nm带宽的发射峰，表明高达70％的Al组成和良好的Al均匀性。大约位于210nm处的第二个峰，表明AlN壳形成在AlGaN纳米线侧壁上，这有助于抑制非辐射表面复合。

接下来，通过光刻和金属化方法来制造电注入的激光二极管。研究人员测量了低于和高于激光阈值的室温电致发光光谱。在阈值下工作，产生宽发射光谱。当电流达到0．35mA阈值时，239nm激光线开始出现。在阈值处，线宽约为0．9nm，但随着电流逐渐升高到约1．4mA，线宽逐渐升高到约1．4nm。

研究人员先前已经展示了在262nm和289nm发射的电注入AlGaN纳米线深紫外激光器。这些激光器具有高得多的组成调控，形成量子点状结构，产生仅仅几十微安的非常低的阈值电流。但是因为高组成调控抑制较短波长的激光发射，研究人员不得不提高组成均匀性，以在239nm产生激光发射。较高的均匀性导致量子点状性质消失，并将阈值电流提高到0．35mA。但是239nm的阈值电流仍然相当低，这将有助于实现基于激光的、电池供电的深紫外仪器。

创业界deep－UV LED最低波长的纪录

美国康乃尔大学的研究团队，最新就研发出一种体积小且更环保的深紫外线LED光源，并创下目前业界deep－UV LED最低波长的纪录。

研究人员采用原子级控制界面的氮化镓（GaN）与氮化铝（AlN）单层薄膜为反应作用区域，成功发射出波长介于232到270奈米的深紫外LED。这种232奈米的深紫外线，创下使用氮化镓为发光材料，所发出的光线波长最短记录。

在成功提升深紫外LED的发光效率后，研究团队的下一步是将光源整合到装置内，朝上市的目标迈进。深紫外光的应用领域包含食物保鲜、假钞辨别、光触媒、水的净化杀菌，等等。

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