艾迈斯半导体公布面向模拟代工客户的2017年多项目晶圆制造服务计划

180nm CMOS专业制程技术和HV-CMOS MPW在艾迈斯半导体位于奥地利的200mm晶圆制造工厂运行

领先的高性能传感器和模拟IC供应商艾迈斯半导体（SIX股票代码：AMS），今日公布其快速、低成本的集成电路原型设计服务--多项目晶圆（MPW）或往复运行（shuttle run）2017年度服务计划表。该服务将不同客户的多种IC原型设计需求融入单片晶圆设计中，由于晶圆和掩膜的成本由多个客户均摊，因此该项服务将有效降低每个客户的成本。

艾迈斯半导体世界领先的MPW服务提供180nm和0.35µm两个工艺节点的制程，包括最近推出的180nm的CMOS （"aC18"）工艺MPW服务。aC18专业制程技术支持大量的1.8V 和5.0V NMOS和PMOS器件（包括基于衬底、浮动、低漏和高阈值电压多种选择）以及经过完整验证的被动器件如多种电容器。同时包括占位面积经优化且密度高达152kGates/mm²的高密度及低功耗数字库、更新的最多可达6个金属层的数字及模拟输入输出库，以及高达8kV HBM ESD保护单元。艾迈斯半导体的aC18制程适用于各种应用的传感器及传感器接口。所有运用aC18专业制程技术的2017年度MPW都会在艾迈斯半导体位于奥地利的领先200mm晶圆制造工厂进行生产，以确保缺陷密度最低化和高产量。

除了四批次的aC18多项目晶圆的运行，艾迈斯半导体同时提供四批次领先的180nm高压CMOS（aH18）工艺MPW服务，180nm高压COMS工艺支持1.8V、5V、20V及50V电压的器件。艾迈斯半导体预计将于2017年提供14批次与0.35μm高压CMOS生产工艺兼容的MPW服务，充分利用其在汽车和工业应用中的高压设计，支持20V、50V以及120V的器件以及真正电压可拓展的晶体管。先进的可嵌入EEPROM的高压CMOS工艺和0.35µm SiGe-BiCMOS工艺技术S35能够与CMOS基础工艺有效兼容，共同构成艾迈斯半导体的MPW服务。

总体而言， 艾迈斯半导体将在2017年通过与CMP, Europractice, Fraunhofer IIS 及 Mosis世界各地的合作企业进行合作，提供近150个MPW服务。

亚太地区客户也可以通过艾迈斯半导体在当地的MPW合作伙伴--Toppan Technical Design Center Co., Ltd (TDC) 和 MEDs Technologies公司参与该项目。

为了更好地利用MPW服务，艾迈斯半导体公司的晶圆代工客户可在指定日期前将完整的GDSII数据发送至艾迈斯半导体公司。采用普通CMOS工艺并未经测试的封装样品或裸片通常将在8周左右送至客户；采用高电压CMOS、SiGe-BiCMOS以及嵌入式闪存工艺生产的样片将于12周左右递送至客户手中。

所有工艺技术均得到了艾迈斯半导体知名的hitkit设计套件支持，该套件基于Cadence、Mentor Graphics或Keysight ADS设计环境而开发。它包含全面的硅认证标准单元、外围电路单元库、通用模拟元件，如比较器、运算放大器、低功耗模数和数模转换器。定制的模拟和射频器件、Assura和Calibre物理验证规则以及具有精确特性的电路仿真模型，均有助于复杂的高性能混合信号集成电路设计的快速启动。除了标准原型服务之外，艾迈斯半导体还提供先进的模拟IP模块、存储器（RAM/ROM）生成服务和陶瓷或塑料封装服务。