功率半导体何去何从？业界大牛说法如此五花八门

南京银茂微电子有限公司总经理庄伟东在"碳化硅功率模组之节能应用"的演讲中表示，现在许多器件都在导入碳化硅。碳化硅和单晶硅最大的区别，能带宽度宽，导热系数是单晶硅的4倍以上等。采用混合型碳化硅模块性能提升非常明显，开通损耗可以降低50%，二极管本身损耗可以降低99%。按照目前的碳化硅发展速度，更大电流的碳化硅模块会有更多应用场合。 碳化硅模块已经来了，对于成本敏感的设计，混合型的碳化硅模块是一个不错的选择。对于这些焦点技术，需要更好的封装技术，包括高传热的设计，这些设计将会使碳化硅模块获得更好的市场机会。

上海华虹宏力部长杨继业在"促进绿色革命-功率分立器件工艺平台"的演讲中表示，华虹宏力是全球最大的8寸功率器件代工厂。拥有超过14年的功率独立器件经验。公司提供600-6500V的IGBT解决方案。他指出，IGBT在太阳能风能，新能源汽车上应用非常广泛。北上广对新能源汽车提供专用牌照等，可以看出，目前我国对新能源汽车的推广的力度的发展非常大，未来新能源汽车必将很有市场前景。纯电动车的核心模块离不开IGBT，充电桩的建设也运用了大量的功率器件模块。到2020年我国年产新能源汽车预计达200万台，仅8寸的IGBT的芯片26万片之多，对于产品链来说都是很好的机会。

瀚天天成公司研发副总裁冯淦在"功率半导体碳化硅外延生长技术进展"的演讲中指出，碳化硅(SiC)作为第三代半导体材料的典型代表，具有优异的物理、化学和电学性能。业内预计，在未来3-5年内，必将有更多的企业向市场推出更多种类型的SiC功率器件。这也意味着全球对SiC材料的需求将迎来一个井喷。对于传统的Si工艺，可以直接通过扩散或注入的方式在高质量的硅衬底上形成不同类型的掺杂层，来实现器件的功能。但对于SiC来说，很难用扩散的方式来实现掺杂。因为即使在1000℃以上的高温，这些杂质在SiC中的扩散系数仍然非常低。因此，SiC器件中的各种类型的掺杂结构层就需要用外延的方式来制作，特别是采用化学气相沉积（CVD）技术来进行外延生长。这也就说，CVD外延生长在整个SiC的产业链中占有举足轻重的地位。

德国爱思强股份有限公司电力电子器件副总裁Frank Wischmeyer 博士在"用于高效电力电子半导体器件的GaN和SiC外延生产技术的进一步发展"的演讲中，表示，约3 / 1的全球能源消耗是基于电力。提高电能的传输效率，从源到电网的分布和转换，以及最终的电力用户和设备，可以形成一个巨大的节能形式。有机材料对于显示和光伏项目已经形成了一定的市场。根据预期，汽车行业使用碳化硅在电动车将会有大有所为的空间。对于外延片来说，材料很值得关注。他指出，Aixtron改善了AIX G5 + C系统，解决了高收益，高素质和高吞吐量的生产GaN基材料在大面积硅片的共同挑战，通过完全自动化由盒到盒的装载以及热反应化学复位的MOCVD生长室。

LayTec AG 的市场和销售总监 Thieme Tom在"原位检测技术电力电子制造中的早期探测应用"中，表示半导体制造是要最大程度的提高设备的性能以及寿命。同时还要确保，每个晶圆在每次运行中，所有关键参数也都是均匀的。最终的目标是外延工艺收率100%。如何精确的控制的晶圆表面温度和应变状态的层是非常重要的。原味检测可以让你知道质量如何，可以了解到生长的速度，了解到表面的，包括氮化钾中间层的粗糙程度。

丰田汽车功率电子事业部总经理濱田公守在"将碳化硅功率半导应用于环保型汽车"演讲中指出，汽车行业正在开发一系列的电动环保汽车来帮助减少尾气二氧化碳排放量和实现能源多样化。混合动力汽车作为环保车最实用的类型已经被市场广泛接受。混动车在未来具有很大的市场。2015年，在日本几乎所有的相关的车都可以实现电动化，到2050年，下一代的车都可以实现电力总成。同时他表示，到2020年，混动车将会呈现快速增长的趋势。丰田汽车公司已将高压系统定位为一种可以应用于所有下一代电动环境友好的汽车的核心技术，目前正在努力提高高压系统组件的性能。由于其低损耗的操作性能，碳化硅功率器件作为高压系统的关键部件被认为是非常有前途的下一代半导体功率器件，它有助于提高燃油效率，减少尺寸和重量的功率控制单元。