本土功率器件厂商的困境与突破口分析

国家知识产权局专利局电学发明审查部半导体一处副处长王兴妍建议："要充分利用已有的资源优势，通过专利技术合作实现企业与企业、企业与科研院所之间的合作。"她表示，科研院所具有较强的技术实力，比如在IGBT领域的专利申请中，38%为大学和研究机构的申请，SiC（碳化硅）器件领域的申请，则达到52%。因此，企业和大学之间可通过产学研结合的方式互通有无，从而做强做大；企业之间，则可扬长避短，注重联合，争取形成国内功率半导体器件领域的技术联盟，并构建专利池。这既有利于形成产业合力，又提高了抗风险能力。例如，在专利合作方面，ABB就曾与竞争对手克里公司共同合作开发SiC器件。

布局

从外围专利抓起

相比国外掌握的有关功率半导体器件的核心技术，我国有不小差距。这是否意味着没有必要申请外围专利呢？

"突破核心专利的壁垒，最奏效的办法就是研发核心技术。但是，对后起的企业来说，由于研发实力和经费投入有限，直攻核心专利难度较大，而利用外围专利进行突围，不失为一个比较好的策略。"王兴妍表示，可以围绕核心专利开展创新，大量申请围绕核心专利的改进专利，对其形成包围之势。在市场上，这些外围的"篱笆"可以就此形成"交叉许可"，从而获得对核心专利的使用权。

COOLMOS（超结金属氧化物半导体场效应晶体管）就是全球领先的半导体公司英飞凌利用他人核心专利为自己赢得市场和技术优势的一个典型案例。国家知识产权局专利局电学发明审查部半导体一处审查员李介胜告诉记者，中国电子科技大学陈星弼院士的发明专利US5216275A是COOLMOS产品的核心专利，英飞凌虽然未掌握这个核心专利，但共引用47次，在其周围形成一个庞大的外围专利网。现今的COOLMOS市场中英飞凌占据了一半以上的份额。这种缜密的外围专利布局进一步巩固了英飞凌在该领域的市场地位，用来抵御他人对其专利的进攻并遏止竞争对手技术扩张。

李介胜介绍，英飞凌目前正在和多家半导体公司进行专利许可谈判。这些谈判对持续保护其知识产权和商业利益至关重要，而用于谈判的筹码就是英飞凌多年累积的核心专利以及围绕自己或他人的核心专利所进行的外围专利布局战略。

除了未雨绸缪的专利布局外，专利申请撰写也是不容忽视的一个环节。

"在撰写时需要明确合理的授权范围，这方面也可以借鉴一下国外大公司的经验，例如飞兆、三菱等。"王兴妍告诉记者，对于独立权利尽可能要求最大的保护范围，对于围绕独立的若干从属权利，则要逐层递进，一步步进行限定，由此形成一个稳定的专利保护圈。这样既有利于审查过程中的修改，也可在独立权利要求无效时让从属权利及时补上从而保证专利权的稳定。

功率半导体产业链结构图