英飞凌全新.XT技术大幅延长IGBT模块使用寿命
时间:04-06
来源:EEWORLD
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英飞凌科技股份公司在纽伦堡举行的2010 PCIM欧洲展会上,推出创新的IGBT内部封装技术。该技术可大幅延长IGBT模块的使用寿命。全新的.XT技术可优化IGBT模块内部所有连接的使用寿命。依靠这些全新的封装技术,英飞凌可满足具备更高功率循环的新兴应用的需求,并为提高功率密度和实现更高工作结温铺平道路。
英飞凌副总裁兼工业电源部总经理Martin Hierholzer指出:"通过推出全新的.XT技术,英飞凌再次巩固了自己在IGBT模块设计和制造领域的技术领先地位。英飞凌在功率循环周次方面,树立了行业新标杆,可实现更高的工作结温。这些全新技术可满足各种要求苛刻的应用的需求,例如商用车、工程车和农用车或风力发电。"
全新.XT技术相对于现有技术,可使IGBT模块的使用寿命延长10倍,或者使输出功率提高25%。这种新技术可支持高达200°C的结温。
功率循环会造成温度变化,并导致IGBT模块内部连接部位产生机械应力。芯片各层的热膨胀系数不同,会造成热应力,导致材料疲劳和损坏。全新.XT技术涵盖IGBT模块内部有关功率循环功能的所有关键点:芯片正面的键合线、芯片背面的焊接(芯片至DCB)和DCB(直接键合铜)至基板的焊接。
这种全新的连接技术经过精心开发,可满足英飞凌现有的多数封装和全新的模块封装的要求。全部三种新连接技术都可是基于标准工艺,十分适用于批量生产。
发布者:小宇
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