飞兆半导体MicroFET? MOSFET以更小占位面积配合便携设计要求
飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor) 为满足便携产品设计人员不断寻求效率更高、外形更小更薄的解决方案的需求,推出采用超紧凑、薄型(1.6mm x 1.6mm x 0.55mm)封装的高性能MicroFET MOSFET产品系列。
设计人员使用这一行业领先的产品系列,能够挑选最适合其应用和设计需求的MicroFET MOSFET产品。新的产品系列备有数种常用的拓扑选择,包括单P沟道和肖特基二极管组合,单N沟道和肖特基二极管组合、双P沟道、双N沟道、互补对(complementary pair)、单N沟道和单P沟道器件。
这些MicroFET MOSFET采用飞兆半导体性能先进的PowerTrench® MOSFET工艺技术,能够实现非常低的RDS(ON)、总体栅极电荷(QG) 和米勒电荷(QGD),从而获得出色的传导和开关性能及热效率。相比传统的MOSFET封装,其先进的MicroFET封装提供了出色的功耗和传导损耗特性。
飞兆半导体提供业界最广泛的具有增强热性能的超紧凑薄型1.6mm x 1.6mm 和2mm x 2mm MicroFET器件。这些易于使用、节省空间的高性能MOSFET是便携应用的理想选择。
产品编号 | 封装 | 拓扑 | 典型便携应用 | 单价 (订购1000个) |
FDME1023PZT | MicroFET 1.6mm x 1.6mm x 0.55mm | 双P沟道 | 电池充电 | 0.35美元 |
FDME1034CZT | MicroFET 1.6mm x 1.6mm x 0.55mm | 互补对(Complementary Pair) | DC-DC转换、带有电平转移的负载开关 | 0.35美元 |
FDFME2P823ZT | MicroFET 1.6mm x 1.6mm x 0.55mm | 单P沟道 + 肖特基二极管 | 电池充电 | 0.34美元 |
FDFME3N311ZT | MicroFET 1.6mm x 1.6mm x 0.55mm | 单N沟道 + 肖特基二极管 | 升压开关 | 0.34美元 |
FDME1024NZT | MicroFET 1.6mm x 1.6mm x 0.55mm | 双N沟道 | DC-DC转换、基带开关 | 0.35美元 |
FDME510PZT | MicroFET 1.6mm x 1.6mm x 0.55mm | 单P沟道 | 负载开关、电池开关 | 0.33美元 |
FDME410NZT | MicroFET 1.6mm x 1.6mm x 0.55mm | 单N沟道 | 负载开关 | 0.33美元 价格:见上表 |
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