采用PowerFill外延硅工艺的电源器件

ASM International推出了其PowerFill的外延硅（Epi Si）沟槽填充工艺。新工艺可使带有掺杂物的外延硅深沟无缝隙填充。

PoweRFill是一个精湛的工艺技术，因为它是同类流程速度的3倍，降低制造成本，创造了为电源设备设计在设计程度上新的级别。

Fairchild半导体公司是第一家客户，以处理其先进电源管理器件，已完成其在韩国工厂的核实。对于这种应用，ASM的PowerFill的处理可以实现电源管理器件和电路的占用空间，从而减少损耗和生产成本。

"对于离散式功率的要求MOSFETs是要降低电阻导通，降低栅极电荷和提高电流能力" Fairchild的技术处理主管C.B. Son表示。 "具备PowerFill的Epsilon工具的性能一直令人印象深刻的，其一个重要的有利因素就是我们可以成功地融入这一先进的沟槽外延处理，能我们认识到，因成本节省而带来的加工吞吐量的显著改善。"

与其它需要通过外延反应堆进行多重传递来实现类似设备结构的处理相比而言，创新后的ASM Epsilon沟槽填补技术的开发能够在无缝隙外延处理一步完成。单一步骤的处理能够使硅外延处理的吞吐量增加三倍，同时保持无缝隙填充的特性，均匀性好，产量高。ASM外延技术总监Shawn Thomas说到："这种高速沟槽填充技术的开发将是展示ASM与客户合作，使先进的材料和批量生产外延技术的一个例证"。

发布者：博子