IR推出基准工业级30V MOSFET
时间:07-27
来源:与非网
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全球功率半导体和管理方案厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出一系列获得工业认证的30V TO-220 HEXFET功率MOSFET,为不间断电源 (UPS) 逆变器、低压电动工具、ORing应用和网络通信及和服务器电源等应用提供非常低的栅极电荷 (Qg) 。
这些坚固耐用的MOSFET采用IR最新一代的沟道技术,并且通过非常低的导通电阻 (RDS(on)) 来减少散热。此外,新器件的超低栅极电荷有助于延长不间断电源逆变器或电动工具的电池寿命。
IR亚洲区销售副总裁潘大伟表示:"新器件能够提供最佳性价比。此外,通过提供四个等级的RDS(on) 及将Qg保持在30V的水平,新器件可让设计工程师灵活地选择最适合的器件,来配合其设计的规范和要求。"
新款MOSFET拥有充分表征的崩溃电压和电流。随着IR对这些基准MOSFET的持续开发,它们将可以作为现有30V TO-220器件的直接替代品或升级品。
新器件获得了工业级及一级潮湿敏感度 (MSL1) 认证。这些30V MOSFET采用TO-220封装,皆为无铅设计,并符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS) 指令。
产品的基本规格:
现在这些器件已向市场供应。欲了解更多数据,请访问IR网站www.irf.com。
IR简介
国际整流器公司 (简称IR,纽约证交所代号IRF) 是全球功率半导体和管理方案领导厂商。IR的模拟及混合信号集成电路、先进电路器件、集成功率系统和器件广泛应用于驱动高性能计算设备及降低电机的能耗 (电机是全球最大耗能设备) ,是众多国际知名厂商开发下一代计算机、节能电器、照明设备、汽车、卫星系统、宇航及国防系统的电源管理基准。IR成立于1947年,总部设在美国洛杉矶,在二十个国家设有办事处。IR全球网站:www.irf.com,中国网站:www.irf.com.cn。
这些坚固耐用的MOSFET采用IR最新一代的沟道技术,并且通过非常低的导通电阻 (RDS(on)) 来减少散热。此外,新器件的超低栅极电荷有助于延长不间断电源逆变器或电动工具的电池寿命。
IR亚洲区销售副总裁潘大伟表示:"新器件能够提供最佳性价比。此外,通过提供四个等级的RDS(on) 及将Qg保持在30V的水平,新器件可让设计工程师灵活地选择最适合的器件,来配合其设计的规范和要求。"
新款MOSFET拥有充分表征的崩溃电压和电流。随着IR对这些基准MOSFET的持续开发,它们将可以作为现有30V TO-220器件的直接替代品或升级品。
新器件获得了工业级及一级潮湿敏感度 (MSL1) 认证。这些30V MOSFET采用TO-220封装,皆为无铅设计,并符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS) 指令。
产品的基本规格:
现在这些器件已向市场供应。欲了解更多数据,请访问IR网站www.irf.com。
IR简介
国际整流器公司 (简称IR,纽约证交所代号IRF) 是全球功率半导体和管理方案领导厂商。IR的模拟及混合信号集成电路、先进电路器件、集成功率系统和器件广泛应用于驱动高性能计算设备及降低电机的能耗 (电机是全球最大耗能设备) ,是众多国际知名厂商开发下一代计算机、节能电器、照明设备、汽车、卫星系统、宇航及国防系统的电源管理基准。IR成立于1947年,总部设在美国洛杉矶,在二十个国家设有办事处。IR全球网站:www.irf.com,中国网站:www.irf.com.cn。
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