一家独享之势不再 半导体代工业孕育恶战

;产品设计费用1.2亿美元～5亿美元;掩膜(套)费用500万美元～800万美元，因此要实现财务平衡，产品的出货量至少在1.0亿片以上，而目前具备如此规模市场需求的产品很难寻觅。所以下一代14nm及以下的工艺制程费用一定会高得惊人。这一切真是应验若干年前业界的预言："未来全球半导体将三足鼎立"。

对于未来半导体业的看法，全球并不一致，归纳起来基本为两个方面：一是工艺节点要不要等待EUV成功之后再往前走，包括450mm硅片以及传统光学光刻的前景;二是半导体工艺要不要采用FinFET结构。

目前ASML的EUV光源可达55W，光刻机每小时产出硅片在40片，尚不能达到量产要求。而传统的光学光刻，采用193nm浸液式，加上众多辅助技术，虽然成本昂贵，而且有局限，但是满足了高分辨率掩膜层的需求。所以采用传统的光学光刻方法能够继续向前推进，并无疑义。可能未来成本因素会成为企业做出选择的主要依据。

在下一个节点上是否需要FinFET晶体管也有争论，英特尔、IBM和联电持赞成态度，三星、台积电和格罗方德则反对。台积电以前曾有些模棱两可，所以推进了16nm FinFET的半节点计划。

按目前的进程，除了EUV光刻机之外，其他的450mm设备到2015年后基本都将具备条件，因此2016年或者2017年450mm生产线的转换可能会被推进。

其实推动半导体业继续往下走，除了尺寸缩小及硅片直径增大之外，2.5D/3.0D TSV封装的潜力也很大。目前在存储器中2.5D堆叠芯片方面已初见成效，相信未来在3.0D TSV异质架构等应用中，一定会大显身手。

半导体业继续向前推进除了技术因素之外，成本及开发速度将成为制约因素，所以一切必须尊重市场的最终选择。