高速信号（如20G），集肤效应对传输线特征阻抗的影响需...

高速信号在特定条件下，集肤效应对传输线特征阻抗的影响需不需要考虑（这个特定条件我也不好说，希望哪位大神能举个例子或者上个测试或者仿真图），让我们这些小虾米解解馋）

1GHZ的时候，趋肤深度就已经很深了
常用的阻抗工具已经进行了相关因素的处理
换句话说，直接用SI9000来算阻抗就好了
频率继续走高，DK和DF随频率变化，也会影响阻抗，这时候就要一些专门的仿真软件才能计算

也就是说我们直接用常规的计算方式就可以了，不用另外再考虑集肤深度?

用集总参数的方式解释如下：
你想象一下，高频时一根传输线就相当于两个部分的并联。
一个部分是大量电流的，由于很薄，阻抗无穷大。
一个部分是小量电流的，阻抗就是五十欧姆。
两个并联还是五十欧姆。

不要用电阻的方式去想传输线阻抗。想想传输线模型，是由RLGC模型构成的。电阻在里面占的比例非常小。

那这样说的话，导线截面还是要比理想导线的截面要大，要不然电流小的部分就大于50Ω了

你是说把整个均匀电流传输线截面看成独立的一部分，这样导线还是50Ω，这样集肤深度那部分剩下的电流流过传输线的阻抗无穷大

铜的电阻率是0.0175Ω·mm2/m，这个mm2是平方毫米。
也就是说，我们一条5mil宽，1盎司铜厚，4000mil的走线的走线，电阻是0.0047Ω。

10G的时候，趋肤深度大约在0.000662毫米。也就是说，理论上电阻在2.35Ω左右。
实际上因为其他部分也有少许电流，并且涡流效应的存在，电阻阻值还不到2.35Ω。

嗯嗯，好帖，共同交流学习