关于TSMC的Deep Nwell
最近我在用TSMC .18 Mixed-signal 的工艺，知道其中有Deep Nwell NMOS的器件。最近我想把我所有的数字电路放到Deep Nwell 中好实现与衬底的隔离，但是每次过LVS时都会遇到问题。 通过对简单反相器的LVS测试发现 Calibre 自动将Deep Nwell 上面的普通NMOS识别成Deep Nwell NMOS， 从而导致LVS error. 可是问题是我想要放到DNW中的是数字电路标准单元，不能简单的改变库中元件的类别而通过LVS。所以现在没想到什么办法。
感觉这个问题应该可以解决，但是还没想到办法。请问版上的各位大神是否遇到过类似的情况? 在此提前谢过了！
弱弱问下，把PMOS放在DNW中会有影响么?
你这样做器件类型一定要改变的，器件制作流程已发生很大改变了。
应该没影响，只是相当于所有PMOS的NW通过DNW连到一起了
我咋感觉如果先做一遍DNW再做NW，NW里面的n-掺杂浓度会受影响啊
deep nwell 影响不大，现在的nwell, deep nwell都是离子注入做的，控制注入能量就能控制深度
对于lvs来说肯定是会有问题，既然有deep nwell nmos，不可能一部分识别成deep nwell nmos，一部分识别成普通nmos，至少fab不会提供这样有bug lvs rule
两种解决方法
1. digital netlist,把所有nmos 改成deep nwell nmos
2. 自己写lvs rule，自己定义cad layer 不check digital部分的deep nwell
不过这些说来说去都是在骗tool，过lvs
谢@ fuyibin及其他朋友。 的确这两种办法都是在欺骗LVS,实际上感觉这样的欺骗是不可避免的。至于最后的结果如何，还是希望有过前人成功的经验可以借鉴。 对于第一种办法，请问可以说得再稍微详细些吗? 我对这个操作过程不是很懂，谢谢！
DNW内外的device是不同的device
你把标准单元放到DNW里面，特性会和外面不一样，所以fab才做一个DNW MOS
标准单元放到DNW里面,实际就变成DNW MOS做的标准单元
你要问fab有没有DNW MOS的标准单元，至少要知道标准单元在DNW内外的差异
首先要去study deep nwell standard cell和普通 standard cell一样不一样。我感觉是差不多的，可以用两个类型 device仿真看一下，如若差别很大，那就没戏了，因为standard cell timing都变了，如果一样，那可以试着去加 deep nwell.
建议先做一个没有 deep nwell 的版本，lvs/drc clean
然后加 deep nwell，把数字部分的 netlist 中普通nmos替换成 deep nwell nmos，deep nwell nmos应该是5端器件，deep nwell接高，这些在 vi 中很容易实现，或者写个 script。接着再做 drc/lvs, 与原来版本差别只是 deep nwell 只差。
建议先做一个小的 test case，保证 flow没有问题，再做 whole chip
你想要的只是一堵墙，但是一不小心给挖了个坑的意思?
我也碰过 本来是低压mos 结果str out，str in，就成了厚氧器件 不知道怎么回事
差不多的
这位说的有理
长见识了
謝謝分享
你想要的只是一堵墙，但是一不小心给挖了个坑的意思?