请教CP匹配的问题（TSMC工艺）

本人现在正在做CP的设计，用得是TSMC0.18um的工艺，CP结构采用的是经典的UP，DOWN结构，中间加一个单位增益放大器。目前正在做CP的后仿，发现CP后仿的结果与前仿差别很大，主要是DN电流也就是NMOS的镜像出了问题。因为对比了前后仿的各关键之路电流，发现各支路电流变化不大（可能是因为这几路都是PMOS镜像的），然后到最后一级输出的时候电流差别很大，而且是镜像尺寸越大，差别越大，对比前后仿发现UP电流的变化要比DOWN电流变化小很多。至此本人怀疑是工艺的问题，为验证之，本人单独做了一个简单的NMOS镜像电路，和一个简单的PMOS镜像电路，且它们的镜像比，参考电流，输出电压都是一样大的，然后分别比较它们的前后仿结果，结果是这样的：当镜像比为10，参考电流为40u时，UP电流前后仿相差6.14u，DN电流前后仿相差2.13u。然后我把镜像比减小一半即为5时，参考电流还是40u，发现UP电流前后仿相差1.37u，DN电流前后仿相差0.7u；而当镜像比不变，参考电流提高到100u，UP相差2.5u，DN相差5.4u；参考电流提高到200u时，UP相差8u，DN相差17u。这些结构表明UP电流的前后仿的变化要比DN电流大，而且随着镜像比，参考电流的增大而增大。
请教版里的高手这个问题我改如何克服呢?谢谢了

一个问题，你镜像用的是finger还是multiplier?

楼上可以查看下你网表.注意下两个问题:
1.W对VT的影响
2.楼上所说的情况. F和M两中形式可能引起SB等参数不一样,导致电流镜向偏差.

学习一下阿

是不是要采用F，而不是M形式来仿真?

镜像采用的是M，不是finger。请问这两个之间有多大差别呢?请知道的详细说一下啊，谢谢了

路过，了解了