微波EDA网,见证研发工程师的成长!
首页 > 研发问答 > 微波和射频技术 > RFIC设计学习交流 > 请教大牛们一个电阻匹配精度的问题

请教大牛们一个电阻匹配精度的问题

时间:10-02 整理:3721RD 点击:
今天看到一工艺厂商的 Resistor Characterization Report,发现里面标出了,N+ Diffusion resistor 和P+ diffusion resistor 的匹配精度 比 Low Rs N+ ploy resistor(unsalicided) 要高,按照layout type的不同,有的能高出一个数量级。
本人感到非常迷惑!
因为以前看到的,都是ploy resistor的精度和匹配精度都比扩散电阻好,请高人帮忙回答,ths!
PS:绝度精度和匹配精度应该没有关系吧?
thanks a lot !

把report发上来看一下吧
应该是poly电阻匹配度好一点
而且扩散电阻容易被干扰

对啊
应该是poly的匹配更好些才对吧

应该是poly的匹配度更好一点吧,能不能看看你的文件

绝对精度越高,匹配精度就越高吗?

上一篇:partune
下一篇:请教:混频器如何仿真

Copyright © 2017-2020 微波EDA网 版权所有

网站地图

Top