关于mos管的finger和thumb

对呀。multiplier指的是什么呀?

multiplier是指多个并联MOS管 finger是指做成插指形状的单个MOS管
但具体的 像参数设置之类的 我也说不好了

“MOS管做成插指（finger）结构的原因：
1. 版图布局的考虑，模拟电路设计中管子宽长比有可能很大，这样需要做成finger结构。
2. 可以减小栅寄生电阻，同样也是基于管子宽长比较大的情况下。
3.减小了栅电阻的噪声，主要是在高频下考虑。”
刚在别的地方看到FINGER的作用

mark 学习中

这个还是有必要注意下！
sa/sb的不同，对镜像管影响还是很大的！

MULTIPLIER指的是乘数因子

M参数感觉不太好，对应不到版图上。通常还是用1，原理图也多个并联。不知道现在改进没。

学习了,谢谢

请问如何将Multiplier对应到版图上?

好像明白了是不是 F用来做成折叠的减小寄生效应M用来 把多个相同的管子并联?
当 W=10L=2F=10W=100这个我理解
但是
当W=10L=2M=10那并联之后为什么W=100呢?并联之后W怎么会变我觉得L会变啊难道我一直理解错了?求指教啊！谢谢

简单理解，并联之后从电流公式可以看出驱动能力增大了，即对应W变宽了。

都是用来×的，得到总W，只是multiplier就是简单的mos管并联，而finger是做成插指结构。

同意。在相对关键的运放中，镜像电流源还是不要用figure的好。

FINGER是设计中宽长比太大，为了减少一些寄生效应，利用齿状结构，形成交错的形状，finger大概就可认为是齿的数量，没有图，不知道理解了没。宽长比除finger就是实际每个齿里面的宽长比。

比如smic.13工艺N33晶体管，一个是宽长比为10u/1u，finger=2，另一个宽长比为10u/1u，m=2，仿真结果显示，第一个Cjd=9fF，第二个Cjd=14fF，大约为2倍，其余参数比如Vth，UnCox,Cjs,Cgs,Cgd都相同！

如果处理好sa/sb呢，即让元件离阱较远，通过dummy隔离呢……finger源漏复用之后面积减小，这也是匹配性下降的原因之一吗?

每一个figure的sa和sb就不同，可以提参数看一下。

推荐看黄宏一的版图设计

学习了

学习了，镜像电流时，finger会偏小一点点

对于题主问的F和M的区别，我们可以这样理解，如果一个W=100的器件我们改成W=10的10个器件，版图上怎么放呢?当M=10的时候我们调出来器件是10个W=10的器件分开摆放的（10组），可以自由决定怎么样源漏共用或者不共用，方便布局或者做匹配。当F=10的时候，调出来是完全自动源漏共用的，就是只有一组。可以简单理解为M就是代指组数，F就是每组的个数。至于90nm以后特别是65nm以后F和M会有一些LOD/WPE等效应，可以通过仿真来决定选择使用F还是M。