关于MOS管的体效应

MOS管是双栅器件 G是一个，另一个就是衬底。
只不过对于开启电压作用相反

说的很有道理，以前都没有这样想到过。
考虑体效应的话，二极管连接的MOS管从源端看入的阻抗反而减小，如何用直观的方法来解释这种现象?
谢谢之前的回答，很有启发性，希望能再帮我解决这个问题。

用公式吧，不管是小信号还是大信号阻抗都可以明显的看出来，不要让别人讲解了！做模拟电路的，要熟悉公式，其他的一切好解决！

单纯用公式的话，肯定是能出来，但达不到直观的效果。

"考虑体效应的话，二极管连接的MOS管从源端看入的阻抗反而减小", 谁说一定减小?体效应只是描述体电位变化对器件的影响，适当利用体效应，既可以是器件导通更好，也可以使器件关短更好。

这个，之前我没说清楚，是拉扎维书上第三章二极管连接共源级的一个小思考，现在再看书看到的一些问题，万分感激大家的帮忙。

substrate相当于另一个gate，存在体效应的二极管连接MOS管有两个压控电流源共同作用，两个电流源并联，电流相加，体现在跨导也是相加，阻抗是跨导的倒数，于是阻抗减小。

终于看懂。太谢谢帮忙了！

当bulk加电压后，使沟道耗尽区变宽，于是反型区载流子减少，ID减小。 Vt增大，要想得到同样的ID，则必须要增大VG。

怎么直观解释?还没看懂，求教

xuexiliao

Very Interesting...

xuexile

可以把衬底+源漏理解成单边JFET

很棒的解释。好希望有一天自己也如此通透

可以这么理解，nmos的源极和substrate是一个 pn 结，当substrate 加负电压，相当于pn结反偏，电子都在耗尽区，不能向gate下面的沟道移动，所以gate一定要加大电压把电子抢回来。加正电压，pn 正偏，有更多的电子提供给沟道，所以gate电压可以减小。

?

学习了

大神啊，学习了~

看着你们的讨论，我都觉得进步挺大的

谢谢你们的讨论，谢谢

恩，看着都觉得进步挺大的

学习~

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