三级管的饱和区和MOS管的饱和区的理解

这两个饱和区不是对应的，总容易给记反。这两个饱和到底指什么的饱和呀?
三极管的饱和区：Ic不随Ib的增大而增大，所以称为饱和区。
MOS管的饱和区：Ids不随Vds的增大而增大，所以称为饱和区
是这样理解吗?
求大伙指正

三极管在线性区时,Ib=B Ic, 在VCE与Ib的曲线图中,一般希望静态工作点Q落在中间
也就是落在线性区间.在饱和区,基极的电流不会在集电极端放大.在应用时我们使用
Ib进行放大.
而MOS管则不同,首先MOS管的栅极电流接近0,不会被放大.主要是沟道电流Ids由栅极电压和
沟道电压(参考ids同vgs,vds的关系式).在饱和区,忽略沟道长度调整,其Ids在饱和区就接近
恒定了,实际上不是这样的,Ids由vgs来放大,希望vds对放大的影响小,因而只有在饱和区内放大
信号是有意义的.

小编说得没错，可以帮助理解就可以了。
Bipolar 饱和，Vce饱和不变，BJT饱和区不可做信号放大；
MOS饱和，Ids电流饱和，长沟器件饱和时沟道夹断，短沟器件因载流子速度饱和效应，沟道连续时也可能饱和。
MOS管做信号处理时，可以工作在饱和区，也可以是线性电阻区。一般是饱和区，线性电阻区增益较小，MOS管饱和区，线性电阻区，亚阈值区，强反型区的小信号模型都是一样的，只是性能不一样。
仅供参考。

学习了，感谢分享

我看EE140课程里面是这样讲的，线性区没有增益，饱和区管子相当于一个电流源，随着Vds的增大id相对于来说很flat,constant。如果管子工作在线性区就相当于一个电阻，那为什么不直接在电路中直接接入电阻呢，接mos管就没有什么意义了，基本是里面老师的原话，希望对你有帮助

可以这样理解，帮助记忆。但是以后还是尽量要从本质上理解。5L说的很好

学习了，谢谢