MOS单管饱和区问题
时间：10-02
整理：3721RD
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MOS管 在饱和区时，当栅压VGS变化时，整个沟道厚度是均匀变化的吗
比如说，VGS增加，源极附近的沟道和漏极附近的沟道厚度增加一样吗?
比如说，VGS增加，源极附近的沟道和漏极附近的沟道厚度增加一样吗?
不是均匀变化的，漏端的沟道要窄一点。你可以这样理解，以NMOS为例，一般源极和衬底接低电位，当漏极加高电位，漏端PN结反偏电压加大，耗尽区变宽，轻掺杂的称底在靠近漏端处耗尽区变宽，使得沟道变窄。同理，在漏极电压不变时，栅极电压加大，可以等效于衬底电位降低，也就是漏端的PN结反偏电压升高。
靠近漏极处沟道厚度薄一些，其原因是靠近漏极处沟道的阈值大于靠近源极处沟道的阈值。个人觉得，与耗尽层宽度没有关系。
zwtang
2012/8/17