弱智地问问为什么跨导越大管子的匹配性越好？

今天听一个师兄说跨导越大管子的匹配性越好，比如一般三极管的跨导比mos管要大，所以三极管比mos管的匹配性好。谁能讲讲这是什么原因吗?是因为跨导大所以面积大以至于匹配性好么?我看一般三极管的面积都比mos管大很多啊......

只能说你师兄只知其一，不知其二。对于一个器件，gm与match没有直接关系。
但是在设计中，由于有众多device组成，有些gm要大有些gm要小
比如简单的 opamp来说，input pair 的gm要大，电流镜负载的gm要小，
电流源mismatch等效到输入端的offset会被gm之比抑制，所以总的offset会更小
至于bipolar 的mismatch由于MOSFET，这与器件结构有关系，bipolar是纵向器件，mosfet是表面器件
bipolar有更大gm，用在电路中也有一定帮助

多谢了然！

有的时候设计是一个性能参数相互折中的一个问题，很难说管子越大越好。personally

二楼正解，对于MOS管子，面积越大，匹配程度越好，大多说来说，跨导越大！

二楼正解
！

再添加点：对输入对，提高 gm/ID 比有助减少offset

好好看看书吧，书上都有，还有多看看工艺手册里面对自己工艺评估给出的mismatch的公式，看看都有什么变量。论坛上面回答的都不太准确

我想知道怎么从pdk得到失配的计算信息?我翻遍了smic的都没找到类似的玩意

管子之间的匹配性取决于管子尺寸以及过驱动电压的大小，对于相同尺寸的管子，过驱动电压越大（当然前提是电路能正常work），匹配性能也会越好

来看看大家的讨论看有没有更好的回答

谢谢了，能大概说一下为什么纵向器件的mismatch会比表面器件小吗?

学习了，很多还是不太懂，期待高人继续解答

不知道，没遇到过

小编解决了没