为什么带隙基准的两个三极管不直接换成两个二极管？

因为layout画的是三极管。
而实际的设计中，在衬底上再生长出PN节总会产生寄生的三极管。PDK中给出的三极管是优化到寄生因素基本可以不考虑的，如果自己发明一个新的结构产生新的器件：第一，面积上不会节省多少（0.01分RMB都没有）；第二，由于foundry不负责验证，需要designer对这个器件进行全面的考虑，万一有一个细节想不到可靠性会降低很多；第三，性能上不会有任何提升。所以对于带隙没有人有动力把三极管换成二极管。更有甚者，在公司里，bandgap就只有几种而已，都是silicon验证成功的，做一个新项目时，哪怕性能不是最好的，也不会有designer有动力去设计心得bandgap。

很多工艺是不允许PN结正偏的，因为任何一个周围的N注入都可以和他组成NPN，这电流就大了。所以要想diode正偏，就要在周围画collect级把它圈起来，这样，不就是bipolar了么，最后还是要用个bipolar

借个楼，向楼上请教个问题。spice中bipolar和diode的模型参数有很多不一致的地方，比如diode里描述pn结breakdown voltage的参数在bipolar的模型里就没有。请问在Bandgap的设计中哪个模型更准确呢?

这个差异到没注意过，不过breakdown voltage应该是专指二极管的反向击穿电压，所以diode里面有，bipolar里面没有。但其实很多工艺的datasheet里面都会给出各个器件各个端点间的最大/最小电压，有时也称之为breakdown。bipolar很少会让它工作在breakdown，所以模型里有了也没意义吧，但是diode经常用来做器件保护的，如果给出breakdown以后的器件模型，就能很好的模拟其是否起到保护作用，我想这应该是一个原因吧。不过这个和bandgap好像没关系，diode反偏没法做bandgap，那么和breakdown也就没什么关系了

breakdown voltage是对bandgap没什么作用，就是举个例子。我只是疑惑用bipolar和用diode仿真会不会有差异。

肯定有差异，emitter的掺杂跟diode的不一样吧，不然两个背对背的diode不就成了bipolar了

我觉得参杂没什么区别。
个人认为厂家提供的diode模型都很简单，准确性不高，而BJT模型都是精细验证提取的。

哪一个器件不是验证过的?不要想当然

个人猜想，原理上讲用diode并没问题，只是因为用BJT可以有效地减小简单diode特性中的nonlinearity factor。那个系数对参杂分布很敏感，会直接影响diode温度系数。

学习了 原来带隙可以还更高深一些啊

BJT 的emitter doping 和 p+/nwell diode并没有什么不同
如果不同的话，那就需要额外的Mask
标准CMOS process中没有人会为了BJT来增加Mask

学习了

记错了，查了一下是c极掺杂不一样是p+和psub混合，不过这不是在一个水平层所以不需要额外mask

sansen的模拟集成电路设计精粹 上 在带隙基准那章提到过这点，可以去看一下

学习了

学习了，原来是这样啊

good question

学习了

如果改成二极管，电压固定，没有反馈。

用diode精度会降低。

sansen的书上讲过，就在bgr那章。貌似diode有一个非零的因子，但Bjt接成diode就没有。

感觉你多操作就知道了

小编搞定了没