请问三极管控制的MOS管工作在截止区怎么办

偏置不对了。

我知道，我想增大后面的VGS，VGS又是三极管控制，我怎样增大三极管基极电压呢

不能再三极管发射极加点电阻把MOS偏置抬高些吗?

至少发个全点的示意图吧，这个叫大家怎么看啊

重新设计偏置

1. cascode a BJT (two BJT to bias MOS)
2. increase the current of BJT to increase the veb.
mpig

我将BJT的电流增加了4倍，可是还是那样，Vgs<0

这是别人提炼的电路图，好像这里做的BJT不知道是做什么用还是是什么保护电路什么的

不是要设计还是要调电路阿

how about first method?

is there any device connect to the source of the problem nmos?

is there any device connect to the source of the problem nmos?

how about the first method?

提炼的?是反向吗?

不懂帮顶顶