高手 菜鸟都来讨论讨论 纵向和横向三极管的区别和设计选择。

如题：这个问题很基础，但是很重要，特别是正向设计的时候。 我把我知道全写上
区别：
1,纵向三极管的beta比较大一些，因为横向管子的基区宽度不好控制，一般做的比较大一些。
2，横向管子的Ft要小一些，这个原因不确定，可能是寄生电容大一些的原因吧。
3，VE 大一些，因为基区宽的关系，基区宽变效应的影响会小一些。
其余的不知道 欢迎补充，比较的时候请附上为什么。还有很多别的参数可以比较
设计选择：
这个我完全不知道 只晓得 在PSUB CMOS工艺中，一般用寄生PNP做BG。
共设级的差分对 一般用什么三极管?
三极管电流镜呢?
用钳位的三极管呢?
如果LV PNP 都可以选择，那么BG可以用 LPNP么?为什么?
暂时就这么多 ，欢迎高手菜鸟

“PSUB CMOS工艺中，一般用寄生PNP做BG。”这句话是对的，不过原因不在于设计，而是工艺（或者说成本）的限制。
共设级的差分对 一般用什么三极管?
考虑到最低的输入电流要求输入管的beta最大，选择V
三极管电流镜呢?
同样，当然是beta大的好，匹配性更佳。
用钳位的三极管呢?
期待高手解答。

这个跟具体工艺有关的吧，

这个问题还是要顶上来 看看的

继续顶起来

先学习了，这些我都不知道

不懂，不懂，有些郁闷

也请教一个问题：
在CMOS工艺中，设计BG，3.3V电压，选取PNP时，采用采用1.2Vpnp还是3.3Vpnp；
采用10X10的和其他的5X5等，在结果上有多大差别?

很有意思的议题哦

正在做带隙，把这个帖子顶起来，欢迎高手解答

我觉得先得看厂家文档吧

这种问题还是一定要顶滴

1.2v的可能会有可靠性问题如果设计注意不够的话。面积大的匹配好，如果你做的细，需要考虑，电流密度，那么同样电流密度，大管子需要电流多。

精彩。

http://wenwen.soso.com/z/q247534650.htm?sp=2001这个有讲一些，大家看下，一起讨论讨论

不能就这么沉了，顶起来，求解答

版图艺术里作者用了整整一章的篇幅都在谈这个话题

CMOS里面的V PNP是寄生做出来的， 不是专门给它mask做的，beta指标很差（基区太宽了，E/B的浓度差别不够大)，肯定不会用于放大，也不会用于开关管(因为IB很大，浪费功耗），用于BGR，主要是利用其VBE的温度特性，对beta等指标不在乎。
如果要用NPN/PNP做运放之类的，肯定还是bimos工艺才可以。
BGR里面，用1.2/3.3V, 应该都可以，就看你的电源了，10*10,5*5就看你的layout和match性能，包括是否考虑输出基准的一致性了。

就顶一顶吧，我也不懂