nmos管，考虑体效应，从源级看进去电阻变小

直观解释? 并联总电阻小于任一支路电阻

nmos管的二极管连接，从s端看考虑体效应电阻反而变小了，是为什么，求直观解释，不需公式推导

我的理解，你说的电阻变小指的是在同样的vgs下，drain和source之间的小信号阻抗变小?
体效应相当于一个没有夹断的jfet，它的vgs=Vsource_bulk；没有体效应时，该jfet的vgs=0；
小信号阻抗，有体效应的时候jfet的vgs是变化的，该jfet相当于与mos并联；

你理解的对，我就是这个意识，mos管的二极管连接，考虑体效应，反而漏源之间电阻变小，体效应导致阈值电压变大，小信号电路有一个gmb的受控源分流，所以由原来的电阻1/gm变为1/gm+gmb导致电阻变小,这个由s和b端电压不等引起的电流，是怎么产生的，阈值电压很明显变大，但是这个电流的产生我不是很理解。pn节还是反向偏置，怎么会产生电流，还有这个jfet不是太了解。大神，谢谢指导。

我的理解是：source电压增加一个 dV，Vgs就减小dV，如果再考虑体效应，Vth会再增大dVth，这样Ids的电流变化量就比没有体效应时更大，相应的source端视入阻抗变小。