帮忙看一个电流镜的问题~

R < (vdd - 2*Vsat)/I:I_R=20uA
R > (Vdd - 2*Vsat)/I : I_R= Vdd/(1/Gmn + 1/Gmp + R)
红色为估算条件哈。
个人愚见，仅仅参考哈。

LS 正解
R小的时候 上面PMOS 被压到线性区
R很大时，下面NMOS也被压到线性区
应该是这样的吧?

wuzl423 说的有道理，电阻较小时，Ir=20uA，因为中间NMOS管的漏电压比第一个高（一般该条件成立），Ir会略大于20uA，这时R路的MOS管均工作与饱和区，因为管子漏电压的问题，电流与20uA略有差别；当R电阻太大时，导致R路的MOS管进入线性电阻区，电流就降下来了。wuzl423的第二个公式中的1/Gm即是线性电阻区电阻。

请给个原因啊，4楼说的对么?

为了回复的哥们好说，我给管子和电流标注了名称

兄弟，可以按照7楼的图具体说一下么?谢谢。

这是模拟电路的面试题目额，多谢了~

20uA电流源I1在二极管N1上产生Vgs1偏置，该Vgs1为N2，N3提供栅极偏置。如果N2，N3工作在饱和区，且漏电压与M1一样，则I2，I3为20uA。P2二栅漏短接，流过20uA电流产生Vsg压降，如果Vdd-Vsg得到的N2漏电压大于N1的漏电压，则I2电流大于20uA，如果Vdd-Vsg得到的漏电压不能能保证N2工作在饱和区，则I2电流小于20uA，因此I2，I3电流是多少与Vdd相关；类似的P3，N3，栅编制电压分别与P2,N2相同，I3电流取决与P3，N3的漏电压，如果电阻R太大，其压降也大，P3，N3工作在线性电阻区，则I3电流会小于20uA很多。如果电阻R较小，其压降也小，P3，N3工作在饱和区，则I3电流约等于20uA，之所以约等于是因为可能漏电压不相同。

非常详细。那么对于电流镜来说，比如简单电流镜，其两侧的管子工作在线性工作区也是可以mirror电流的，只是公式复杂点，是吗?

学习

工作在线性区就是电阻了。不能按比例复制的，要用电阻大小去算了。

这个分析不错
N1的偏置为N2，N3，提供栅电流，为什么如果N2，N3工作在饱和区，那么I2，I3就等于20um啊?

哦
突然想通了，这个是按照原始公式

""wuzl423 说的有道理，电阻较小时，Ir=20uA，因为中间NMOS管的漏电压比第一个高（一般该条件成立），Ir会略大于20uA，这时R路的MOS管均工作与饱和区，因为管子漏电压的问题，电流与20uA略有差别；当R电阻太大时，导致R路的MOS管进入线性电阻区，电流就降下来了。wuzl423的第二个公式中的1/Gm即是线性电阻区电阻。""

1、因为中间NMOS管的漏电压比第一个高（一般该条件成立)这个是为什么啊?
2、当R电阻太大时，导致R路的MOS管进入线性电阻区
对NMOS3，,Vd3等于VDD-IR-DS3这样R越大，Vd3就越小是吧容易进入线性区
3、PMOS3的栅压等于VDS2，漏压取决于R,R越大，Vd越小，这样Vdp3-Vgp3容易小于|Vtp|，这样就饱和区了啊?
另外(1/gm)//ro什么时候接近（取）1/gm,什么时候接近(取)ro

一般情况下，饱和区时，gm=10gmbs=100gds。

如果N2，N3工作在饱和区，且漏电压与M1一样，则I2，I3为20uA。?
想问一下，N2是N3、N1宽长比的2倍，为啥电流会一样?

呃，未仔细看，N=2，电流double一下吧。

<=20uA

以前没注意到

真心学习了，谢谢大家的回答让我学习了

这个题目您弄明白没有，感觉大家回复有问题呀，题目重点不应该是NMOS、PMOS复制比例不同吗，谢谢

是的，他们都弄错了