运放中偏置电流镜栅极的去耦电容值一般取多大?
时间:10-02
整理:3721RD
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大家好,请问运放中偏置电流镜栅极的去耦电容值一般取多大合适呢?
我查了一下edaboard有人用了15600平方微米的NMOS管,大概有一百多个pF,板上的人都说他用的太大了,说面积太大难以避免栅极绝缘层的针孔。我不太清楚这个值怎么选,请大家指教,谢谢!
我查了一下edaboard有人用了15600平方微米的NMOS管,大概有一百多个pF,板上的人都说他用的太大了,说面积太大难以避免栅极绝缘层的针孔。我不太清楚这个值怎么选,请大家指教,谢谢!
好像是有点大,呼唤大牛出来给讲讲
这个一般都是剩下的空间都填电容吧
同上,一般都是用最后的剩余面积来补上电容的。要看你的信号频率是多少了!
集成电路还是 分立器件啊
集成电路里面怎么可能用这么大的电容啊
5# 模头
总去耦电容才几十pf,一个栅偏置就要这么多
那你芯片得多大
这个不用这么大吧
主要看你的芯片面积。要拿剩下的芯片面积来做电容。如果剩下的不多就要重其他方面考虑从而减少电容值
这个芯片生产出来能卖得出去吗?
9# tbird688
看你对电流精度的要求
100多p确实很大,放几个大尺寸的管子就可以了,或者加电阻