mos管body和衬底有什么区别

你这问题让人读不懂,难以回答......

NMOS就做在p型衬底上，它的体body就是衬底，整个p型衬底接最低电位，NMOS的body就接的是最低电位，所以你在schematic里面看到NMOS的body和source短接在一起接到了GND上，普通MOS管的SD是对称了，哪边接了相对低的电位，那边就是源，所以你的问题很low，上面说的并不完全，要么回去看书，从最基本的晶体管那一章开始看，要么现在就转行，去干点别的吧

小编看来对半导体工艺不是很熟悉
建议学习一下半导体工艺就可以搞清楚啦

唉，不知道为什么说话这么不懂礼貌?
你所说的都是最基本的概念，但是不知道你有没有考虑过为什么会是如此?通常我们所看到的mos等效图，会把body放在s端附近，而非d端附近。这一点难道不能引起任何思考吗?
就我目前的理解，在低压工艺下，body置于s端和d端附近都是没有太大区别的。
但在高压工艺下，比如tsmc18bcd，design rule就提到body是必须要放在s端附近的，而不能放在漏端附近。
通过对mos器件的耐压分析，以及热载流子效应等分析，body的位置是有其原因所在。
所以请对问题进行更深入的思考，而不是上来说一堆教科书上的几句话，想来，这是提升设计功力的途径之一。
也欢迎大家继续思考一下这个问题。提出更多的见解。