关于MOS管的ro的问题
MOS管的ro是在拉扎维书中是在MOS小信号模型这一讲提出的，在MOS管模型中，沟道长度调制效应可以由电阻ro表示。ro=əVds/ əID，推出ro约等于1/λID。这个电阻作为输出阻抗影响着放大器的增益。
在推导中ro是Vds对Id求导得到的，是在小信号下推导得到的。
想问一下这个电阻是仅仅作为一个小信号模型电阻用来计算放大器的增益还是一个真实的输出阻抗。在直流和不同的频率下这个阻抗都是不变的么?
不知道有没有人理解我的意思。1，真实阻抗
2，变的
那请问您这个输出阻抗ro在直流时和不同频率下将怎么变化啊?
谢谢分享
用小信号的vds和id的偏微分求导。
不能说是真实阻抗， 至少在分析NOISE 的时候我们并不考虑这个电阻。 它只是为了考虑channel length modulation 这种现象的一个假设的等效电阻
1. 直流电的时候，如果ＶＤＳ 是一定的时候， 又哪来的求导呢? 这种情况该不要考虑。
２. 应该只是小信号的时候才用到的。大概 ～１００Ｋ 欧姆这个级别。
您说的我是赞同的，但是就举个例子，在拉扎维的212/213页，电压反馈可以减小输出阻抗。假设在图8.19中使用一个电阻RL作为输出端的负载。在开环结构中，就是把图中的反馈去掉的时候，输出将简单的按RL/(RL+Rout)比例分压。它这句话的意思是直流电平被分压，还是交流小信号电压被分压还是二者都会被分压呢?它这个输出阻抗Rout指的仅仅是对小信号的Rout么?
图8.19
2016-7-8 08:42
当你画等效电路的时候， 基本上你在分析小型号了。（除非你在做 POWER AMPLIFIER）
ro就是mos管沟道的阻抗，随着栅极电压的变化而变化。
当进行large signal分析的时候，mos管作为开关使用，ro很小不考虑。
当进行small signal分析的时候，要考虑ro的影响。
100k级别也太笼统了吧，现在65nm工艺的能上10k就很大了
MOS管的ro是在拉扎维书中是在MOS小信号模型这一讲提出的，在MOS管模型中，沟道长度调制效应可以由电阻ro表示。ro=əVds/ əID，推出ro约等于1/λID。这个电阻作为输出阻抗影响着放大器的增益。
在推导中ro是Vds对Id求导得到的，是在小信号下推导得到的。
想问一下这个电阻是仅仅作为一个小信号模型电阻用来计算放大器的增益还是一个真实的输出阻抗。在直流和不同的频率下这个阻抗都是不变的么?
不知道有没有人理解我的意思。1，真实阻抗
2，变的
那请问您这个输出阻抗ro在直流时和不同频率下将怎么变化啊?
谢谢分享
用小信号的vds和id的偏微分求导。
不能说是真实阻抗， 至少在分析NOISE 的时候我们并不考虑这个电阻。 它只是为了考虑channel length modulation 这种现象的一个假设的等效电阻
1. 直流电的时候，如果ＶＤＳ 是一定的时候， 又哪来的求导呢? 这种情况该不要考虑。
２. 应该只是小信号的时候才用到的。大概 ～１００Ｋ 欧姆这个级别。
您说的我是赞同的，但是就举个例子，在拉扎维的212/213页，电压反馈可以减小输出阻抗。假设在图8.19中使用一个电阻RL作为输出端的负载。在开环结构中，就是把图中的反馈去掉的时候，输出将简单的按RL/(RL+Rout)比例分压。它这句话的意思是直流电平被分压，还是交流小信号电压被分压还是二者都会被分压呢?它这个输出阻抗Rout指的仅仅是对小信号的Rout么?
图8.19
2016-7-8 08:42
当你画等效电路的时候， 基本上你在分析小型号了。（除非你在做 POWER AMPLIFIER）
ro就是mos管沟道的阻抗，随着栅极电压的变化而变化。
当进行large signal分析的时候，mos管作为开关使用，ro很小不考虑。
当进行small signal分析的时候，要考虑ro的影响。