为什么偏置电路尺寸要设成很大呢

match

误差可控性。

这个其实是个及其高深的问题啊 感觉什么可能性都有 很多经验性的东西在里面
找个5 6年模拟IC的人问问 张张经验值

基本来说matching & noise
big L 可以提供更好的rds
process matching & 1/f noise 对mos area很敏感～
也有特殊需求的情况
个人陋见

学习

其实感觉如果一直是用同一个库仿真的话，可以很快的口算宽长比设置多少寄生电容多大 跨导多少，零极点位置

牛逼啊。

可能主要是由于match方面的原因吧，尺寸大了之后自然就match的比较好，另外一般不会设置成6：3之类的，都会设置成偶数的，4：2之类的，这样在工艺方面可以尽可能的提高match的程度。

感觉做模拟IC真的是凭经验设计~

主要是克服沟道长度调制效应！

高人太多了

11楼正解。由于工艺偏差值是固定的，W和L做的越大，相对偏差就越小，做的电流镜就越匹配，电流拷贝就越精确。尤其是在考虑功耗的地方，为了不至于电流偏差过大需要用大的W和L值，以及用倒比管，可以有效减小失配。

一般是为了减小沟调效应吧，你无法保证电流镜两端的MOS管Vds完全相同啊

L越大，沟道噪声方面也比较小

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