求助：偏置电路计算问题

图是allen 书上的习题　因为m4管工作必然在饱和区，所以用上面给出的参数计算出Kn=101 。由节点电压可以判断出M3和M5管工作在饱和区的，又因为M3和M5串联，所以电流应该都为10uA。　但是将仿真的电压数据计算出它们的Vgs代入公式I=1/2*Kn(W/L)(Vgs-Vth)(Vgs-Vth)计算的的结果是M3管的电流约为5uA，M5管的电流约为12uA。　

请各位指导下　Vth=0.7v

为什么计算出的电流不相等并且不等于10uA?

网表数据：

M5 4 3 6 0 nch w=4u l=1u
M4 3 3 0 0 nch w=1u l=1u
M3 6 4 0 0 nch w=4u l=1u
M2 2 3 1 0 nch w=4u l=1u
m1 1 4 0 0 nch w=4u l=1u
ibias1 5 3 10u
ibias2 5 4 10u
vplus 5 0 5
vout 2 0 3

。

仿真数据

i(vout) = -1.0233e-005
i(vplus) = -2.0000e-005
v(0) = 0.0000e+000
v(1) = 3.0942e-001
v(2) = 3.0000e+000
v(3) = 1.1450e+000
v(4) = 8.6342e-001
v(5) = 5.0000e+000
v(6) = 2.4681e-001

上面是电路图　显示时　有点慢的

图片可以调小的啊！也看得清，1M多太大了！200K以下合适

好的　谢谢

实际的电流公式和这个1/2 Kn *vov*vov 不一样
首先M5的vth5>vth3（M3的）body effect
其次 2个的vds也不同同在饱和区 lamda*vds也不一样
而且l=1u 早是短沟道了这些公式只是我们在长沟道时使用的
段沟道 I和 vov的关系可能是线性 而不是平凡率
最好仿真器仿真不是用我们推导的公式来算的有bsim的模型和经验参数在里面
但理论的计算还是很重要的能直观的指导你设计

恩　学习了　谢谢

dddddddddddddddddddd

cccccccccccccccccccccccccccc

哈哈哈　哈哈　

哈哈哈哈

.....

学习了　谢谢

简单来说就是M1和M3的Vgs一样但Vds不一样。短沟道效应是Ids3<Ids5。

Allen Wide Swing Current Mirror
M1 1 4 GND GND NMOS1 L=1U W=4U M=1
M2 2 3 1 GND NMOS1 L=1U W=4U M=1
M3 6 4 GND GND NMOS1 L=1U W=4U M=1
M4 3 3 GND GND NMOS1 L=1U W=1U M=1
M5 4 3 6 GND NMOS1 L=1U W=4U M=1
IBIAS1 5 3 10U
IBIAS2 5 4 10U
VOUT 2 GND DC 3V
VPLUS 5 GND DC 5V
.dc VOUT 0 5 0.01
.probe i1(m1)
.op
.MODEL NMOS1 NMOS VTO=0.70 KP=110U GAMMA=0.4 LAMBDA=0.04 PHI=0.7
+MJ=0.5 MJSW=0.38 CGBO=700P CGSO=220P CGDO=220P CJ=770U CJSW=380P
+LD=0.016U TOX=14N
.end

do you have think about bady effect?
i think you should add the effect to caculatior it .