怎么给一般的运放作偏置电路？

找本书看看
上面都有的

有具体应用模式吗?如果有可以针对性的设计一些电路。
要不到书上看看，应该比较全面。

我觉得偏置电路应该使用电流镜结构来实现

你好
最简单的就是用bias产生一个电流
然后偏置某些MOS管
（将这些mos当负载）
适当选择这些MOS管的尺寸
就能产生您想要的电压

大家能不能具体说一下在那些书里面见过设计偏置电路的具体方法。
我只在GRAY的书里面见过简单的讲过，拉扎维和Allen的书里面好像没怎么讲过这些。

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做工作的时候就知道了

。
本论坛有专门的书，可以找找。

"适当选择这些MOS管的尺寸",很对，试一下就知道怎么回事了

一般偏置由两部分组成，一部分产生参考电压或参考电流，第二部分为在这个基础产生偏压的电流镜。

看了一些资料，都是用电阻产生偏置，然后做一个电流镜的，可是在cmos工艺中，电阻做不准的啊

做基准电压bandgap作为基准电流放大器的输入电压，然后利用基准电流作为偏置

用镜像电流吧

偏置电压一般取Vgs-Vth=0.15~0.2V

具体问题具体分析

同意楼上的“具体问题具体分析”
先提问小编，对于偏置电路的规格是怎么定义的
电源工作范围、温度范围、允许偏差范围
功耗规格
工艺上是否支持unsilicide polysilicon
一般现代工艺多晶电阻的准确度基本可以控制在+/-5%以内，但是如果只能分配假设1uA偏置电流的话，3.3V就需要3M的电阻，面积太大了，也容易受噪声干扰
可以考虑用CMOS兼容的Diode来做bandgap，也可以用弱反型区的MOSFET来做widlar偏置电流源，效果和bandgap理论上一样

看你的电路具体指标了，一般来讲都是用bandgap作voltage source，因为它非常稳定。但是实际应用的时候往往不这么做，尤其是Low power wirelss applications。因为实际情况下电源电压是有变化和扰动的，所以你需要先做一个peaking current souce去抵抗至少25%的VDD变化，然后用电流镜mirror到所需bias的管子。当然，如果考虑到温度对gm的影响，你还需要加一级PTAT（proportional to absolute tempreture）电流源。我说的这些都是最最基本的，一般的教科书都有，其中Razavi和Gray的两本比较详细，推荐看看。

回答得很好。
具体到RFIC(several GHz)的话，电阻就绝对不可用了，精准度，温度系数，噪声（散热），大小……都是问题，如果要求不高的情况，用diode connection的单管CMOS也比电阻强呢。

R.J.Baker的书上有讲一些简单的，可以看看。

you can search about "high swing bias circuit". it seem to be the same for the common amplifier.

high swing bias circuit
high swing bias circuit

这个应该根据具体电路来设计

看你的具体应用了，如果是用在一个本身就包含bandgap的电路，那么可以用一个series-series的结构构成一个负反馈来给系统提供偏置，这种方式可以获得比较好的精度，PSRR和温度系数
如果是简单的一个偏置，则可以用比较简单的电流源，就是用电流镜和Vt和一些电阻构成就可以了，这种情况一般需要一个启动电路，精度，PSRR和温度系数都不如前种方式，但是结构简单

ke yi kan shu xuexi

设计一两次应该就知道怎么作了

很真确。

it is very important in bias current design

基准作偏置

你首先得把所需的各个偏置电压准确地搞出来，然后以此为条件来设计。