mos栅氧化层电压击穿和经时击穿原理上有什么不同？

经时击穿是什么?

就是加的电压虽然不高，但时间久了也慢慢击穿了

器件老化了

对。我想问的就是因老化而击穿的机理和直接加高电压击穿的机理有什么异同。

利害利害

高电压击穿是由于电场太大，电子拥有足够大的动能能够直接破坏硅氧键而击穿。
老化击穿是由于SiO2里面有一少部分的缺陷，由于工作时间足够长产生越来越多的缺陷，最后这些缺陷可以连接成细微的电流通道以至于击穿。
希望能有所帮助

多谢！有没有关于高电压击穿栅氧化层的参考书或者期刊论文?我找了好久没找到，找到的都是关于经时击穿的。