esd保护电路，smic库管子的击穿仿真模型问题

最近在做esd保护电路，仿真时候发现管子似乎没有一次击穿和二次击穿的spice模型。请问要怎么对管子的击穿模型进行建模，有没有做esd保护电路的高手帮帮忙呀，或者不需要建模，有更好的方法来仿真esd保护电路呢?高手帮忙解决，在下感激不尽！

ESD可不是一般人能搞地。

最简单的方法，找几个FOUNDARY厂的标准IO改改就行了。

SMIC的spicemodel没有ESD管子的击穿模型。
对于ESD的电路仿真问题，只有在正常工作的情况下可以仿真，就是diode正向导通，或者MOS开启的情况下可以仿真，作为一个参考。如果用diode反偏，GGMOS，需要在雪崩击穿的情况下才能工作的ESD器件，是不可以电路仿真的。因为击穿机理比较复杂，很难建立精确的模型来仿真。更何况ESD的性能跟layout的关系很大。所以不太容易仿真。

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