关于管子的叉指数m
时间:10-02
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用HSPCIE仿真,网表
w=20uml=2um
与
w=5uml=2umm=4
这两种表达仿真结果是不是一样的?版图上做出来的w肯定是不相等的。仿真的时候会不会考虑由于氧化层侵蚀导致的每条叉指的w变小一些?
用finger或许会更好些把^_^,请前辈指教
w=20uml=2um
与
w=5uml=2umm=4
这两种表达仿真结果是不是一样的?版图上做出来的w肯定是不相等的。仿真的时候会不会考虑由于氧化层侵蚀导致的每条叉指的w变小一些?
用finger或许会更好些把^_^,请前辈指教
仿真的时候应该是等效的
会有点不一样。
我之前用tsmc .35做过,稍微有点不一样。
it differs from layout type.
if you use figure, you mean to use source/drain sharing.
if you use multiple, it is notto use sharing.
it is equal in low freauency design.
but if it is used in RF design.
it differs a lot....
牛人才
在65nm下,三者肯定是不一样的,不管高频还是dc
当然不一样了,w=20和w=5的管子的vth是有才差别的。
电路仿真的阈值电压可能不同
电路仿真的阈值电压可能不同体效应也不一样
中的。
can u telll us, how to deal with this problem?
if the 'w' & 'l' is determined , how to make sure the 'figure'?
当然不一样了,M=1和M=N的画法layout不一样,寄生效应就不一样,而且管子的VTH也不一样,对数字电路来说没有什么区别,对ANALOG来说区别大了。还有要分清楚M和F的区别。