为什么MOS电容在VGS为0时氧化层下仍有耗尽层？

因为是native管

有功函数差

栅极多晶硅或金属与衬底Si的功函数差、Si/SiO2的界面电荷和界面态等导致。功函数差的来源是材料的费米能级差，费米能及衡量材料中的电子"活力"，两种材料中的电子“活力”不同，当短接两极时，更有“活力”的电子从一材料向另一材料扩散，并在扩走电子的位置留下正离子，则GOX对面的另一材料产生镜像电荷，于是产生空间电荷区。

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