MOSFET在脉冲 高电压 下，其栅氧化层会被击穿吗？

我想问问各位，如果正常工作电压最高为5V的PMOS MOSFET，如果在其S端加10V电压，G端接GND
,这样持续时间2us左右（相当于VSG=10V高电平，2us脉宽的脉冲加在栅氧化层上），MOSFET的薄栅氧化层会被击穿吗?
欢迎各位踊跃讨论

5V器件的栅氧似乎抗打击能力还不错. 2us应该还好吧。我猜的，千万别当权威意见。

可以的

謝謝無私的分享~感激不盡阿！

可能被击穿，若没击穿会导致可靠性降低

2X的电压，2us会损伤氧化层，即使不会立即失效，但也会影响寿命