如何让高电压通过IO Pad？

change the IO pad.

怎么修改?

analog designer
因为 MOS device break down issue,
not prefer over drive 5V IO PAD.
如果你只是要发paper,(以前我常在学校这样做)
可以用空PAD就好了--> no ESD and pre/post drive.

不是发paper，我们要准备流片，如果用空pad不知道会有什么后果?
3.3V和12V共用一个pad，12V的目的就是为了击穿MOS，但是用完12V之后，3.3V就必须得有ESD

analog designer
我去查了一下 SMIC 0.35um, login SMIC Now
有 High Voltage process 3.3V/18V
So IO should be there

我忘记说了，core我用的是smic35 logic工艺，其他pad类型都是数字的，不可能为了一个12V，就把其他IO都换高电压工艺的

這樣思考邏輯就很奇怪了, 既然有 high voltage 的需求, 為何不換既有 foundry 提供3.3/18 process?
像我要做 RS485 into SMIC0.13um, 我問SMIC CE, 沒有提供, 那我怎敢用一般 process 3V/5V 做呢.
我們 IC design house 不需冒這 risk 的, 除非像以前我在UMC, 用自己的 "free" wafer 隨便 try...

为什么这么设计呢?

里面绝大多数是数字电路，只有一块PROM是模拟电路，PROM编程电压需要12V左右，由于时间紧迫，重新设计不太可能了，所以只能在IO上想办法

高压工艺?

就算IO处理好了，你能保证内部电路不会碰到12V吗?

而且，普通工艺的diode击穿电压也没有那么高呀。就算gate处理好了，Nwell的Psub之间的二极管也击穿了。

PROM?没有采用IP吗?一般编程电压由芯片内部电荷泵升压得到，不需外加吧?