MOSFET特性请教

在模拟集成电路设计精粹sansen书第一章中，关于MOSFET的特性介绍0154节PPT中有如下一幅图：当MOS管进入速度饱和区域后，跨导gm=w*Cox*vsat，不是与与栅源电压Vgs-Vt无关的吗?为什么左边图中MOS管沟道宽度w为定值时，跨导gm与Vgs-Vt成正比一直增加，曲线最终没有趋于水平。而右边曲线却与速度饱和状态下跨导与栅源电压关系符合。
急救，求大神解答。

0154节PPT图片如此所示。

帮顶一下，我也不解中，有没有可能是图没有画全，到后面了这三条曲线就都趋于稳定的gm值了

大神呢?大神都去哪儿了?

对呀，速度饱和时，vsat不是等于VGS-VT吗，不是随VGS增大线性变化的吗?

这个vsat是载流子速度饱和后的速度，不是MOS管进入饱和区的饱和电压。你理解错了。

就没个大仙出来关注下?哎。

gm=Un *Cox w/L *(Vgs-Vth)成正比没什么不对吧