一个关于MOSFET layout 的问题

一个NMOS在做layout的时候，我想用两个finger(两个gate 做并联），两个finger中间的区域是用来做drain呢还是source? 我的考虑是这样：一般器件在饱和区的时候， S端的寄生电容是大于D端的。 为了减少S端的寄生电容，中间这个区域就用来做source.(因为它的面积小于两边面积之和）。但很多书上的插图都写明了中间这个区域用来做drain.为什么呢?请高手多指教。谢谢

如果Source端接地的话，Source端的寄生电容就不重要了，Drain端在中间比较合理。
另外，Drain端通常是输出，因此其寄生电容越小越好。

懂了，多谢指教
懂了，多谢指教

又学习了

只知道这样做，但不知道为什么，学习了

对的哈漏端电容往往是密勒电容的重要组成部分 因而越小越好

学习了。

在平时接触的没这么讲究，学习了

为什么Source接地 Source端的寄生电容就不重要了呢?　还是会影响到稳定性吧?
另外小编提到的饱和区工作的时，Ｓource的电容比较大不是因为Source端接到那里的原因.用ＦＩＮＧＥＲ结构会加剧这个电容吧?
把中间接Ｄrain应该仅是因为可以减小寄生的米勒电容和输出寄生电容吧