请教：不同工艺下最基本MOSFET的Cadence layout
时间：10-02
整理：3721RD
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我刚刚开始学习Cadence layout，很多地方不太明白，恳请指教。
比如最基本的怎么画一个MOSFET，
有的资料用0.25u工艺，画layout的顺序是：NWELL layer,DIFF layer,poly layer,PIMP layer,NIMP layer,CONT layer,metal layer。
有的资料用0.5u工艺，画layout的顺序是：pselect layer,active layer,poly layer,CONT layer,metal layer。
为什么同样的MOSFET，不同的画法?
另外问几个基本的问题：画一个MOSFET，沟道、金属、poly的长短粗细怎么确定呢?via、cont的大小怎么确定呢?W/L怎么体现出来呢?谢谢！
比如最基本的怎么画一个MOSFET，
有的资料用0.25u工艺，画layout的顺序是：NWELL layer,DIFF layer,poly layer,PIMP layer,NIMP layer,CONT layer,metal layer。
有的资料用0.5u工艺，画layout的顺序是：pselect layer,active layer,poly layer,CONT layer,metal layer。
为什么同样的MOSFET，不同的画法?
另外问几个基本的问题：画一个MOSFET，沟道、金属、poly的长短粗细怎么确定呢?via、cont的大小怎么确定呢?W/L怎么体现出来呢?谢谢！
你说的是那些是连接顺序吧
具体的你去看drc.com和lvs.com文件，
画法规则看各种工艺的desugn rule。
最直接的办法是导入该工艺的standcell库，就可以看到各种基本单元的画法了。
看PDK吧！