MOS管在截至状态下的耐压情况
时间：10-02
整理：3721RD
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不知道有没有哪位大侠知道3.3v 的nmos在截至状态下是否能耐住5v电压，具体接法：S和G接地，D接5v，不知道这样gate会不会被击穿
看工艺曲线
标准的GGNMOS结构..用在ESD保护电路.. big width size
前提..drain端vcontact离gate距离要远, 不salicide..增大rds.
layout follow fab ESD design rule is enough..
谢谢楼上回答，ESD的画法是为了抵御瞬间很大的电流冲击，如果使用中的电流不像ESD电流冲击那么大，约50mA左右，并且只持续1-2us的时间，不按照ESD rule的画法是否也能抗的住呢?
测栅极电流，如果有击穿危险的话，仿真器会报！
G-D间的氧化层介质会受到损伤，降低寿命。
应该不会breakdown，但是有reliability问题，如果你是学生发paper，问题不大，如果你做product就不行了。
以前曾经做过实验，印象中3.3V的管子5v下能持续工作挺长时间，6v可能马上就坏了。
这个还是看工艺参数吧。有BV的。
我们用的3V管子最高都能撑到5V的。
根据我的经验，3.3V的管子用到4.5V没问题的，但一过4.8V性能就很差了，到5V也能用，reliability降低。